P型硅

片多晶组件（310W）为例 3．光伏直流侧系统电路是电流限制型电路：基于目前的市场上光伏组件的厂家样本，我们可以得知串联在一起的某一路光伏电池组串，当发生短路故障时其短路电流的大小与单个电池发生
短路的电流（Isc）大小一致，一般不超过10A。 根据上面的介绍，我们可以得知光伏直流系统电路是一个短路电流有限制的电路，即此线路为电流限制型电路。 第二部分 短路故障类型与反向电流

氧化铝(AlOx)。其不但像SiNx一样可以钝化表面缺陷，还拥有与SiNx相反的负电荷，正是因为这一点，在p型硅背面使用AlOx钝化层，不但不会形成反转层造成漏电，反而会增加p型硅中多子浓度，降低少子浓度

, Isc, Voc降低，使组件性能低于设计标准，无论组件采用何种技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下都有PID的风险。 PID效应可能是组件严重退化的主要原因，由此引起的组件功率衰减有时甚至超过50

实验室（National Renewable Energy Laboratory）此前证实无论组件采用何种技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下都有PID的风险。2005年中国光伏电池板厂商首次报告了这一

；　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为

切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹;　　　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术　　四、电池环节　　单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶

，是以光照射侧的 p-i 型a-Si: H膜( 膜厚 5 ～ 10nm) 和背面侧的 i-n 型 a-Si: H膜( 膜厚 5 ～ 10nm) 夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成

。红色折线为HTL采用氧化钨（WOx）的元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件， 　　黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。 　　 　　左为原来的
p型半导体材料，右为此次新开发的p型半导体材料 开发出这项技术的是日本理化学研究所创发特性科学研究中心创发分子功能研发组高级研究员尾坂格等人。提高耐热性的关键是作为p型半导体材料采用了新开发的

元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。开发出这项技术的是日本理化学研究所创发特性科学研究中心创发分子功能研发组高级研究员尾坂格等人
。提高耐热性的关键是作为p型半导体材料采用了新开发的高分子材料PTzNTz（thiophene and thiazolothiazole）。在500小时的耐热性试验中没有劣化尾坂等人采用这种PTzNTz