P型硅
没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P(positive)型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N(negative)型半导体。黄色
。 2实验设计 本次试验使用的多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m。图1为多晶黑硅太阳能电池的生产流程。首先在80℃浓度10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用
kerfless外延片，生产耗能与成本较低，且可提高p/n结同质结构电池的转换效率。imec将kerfless外延片应用于自家的高效nPERT硅晶电池技术，用6吋、厚度仅160~180m的外延片制成156mm见方的
公司Crystal Solar 开发的n型晶片。位于硅谷的Crystal Solar 的Direct Gas to Wafer技术可生产6寸大小、160至180微米厚的单晶硅片，在结晶过程中会有一个
60-cell光伏模块可以从效率提升中额外获得6W的电力产出。 2015年，多晶硅产品在晶硅光伏市场中的市场份额为18%，预计这一比例将在2018年提高至25%，其中传统型电池占4%、P型PERC电池占10%，N型超高效率电池占11%。
电池技术的研究进展 图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P
说多晶存在效率提升的瓶颈，但过去的2015年看，高效多晶已经突破20%的理论瓶颈，单是效率数据，现在市场上的高效多晶的转换效率已经高过目前占单晶主流的普通P型单晶，不仅仅在成本上，而且在转换效率上匹敌单晶
%上升到15%，未来还会往20-25%提升，改局部展望了，其实2015年的中国市场如果没有主要单晶硅片企业跳出来，往下游做了单晶电池组件，在中国电站市场和多晶一起拼价格，单晶下滑幅度还会更惨
factsheet所定义之课税范围（scope），凡是组件中采用晶硅PV电池者皆属课税范围；晶硅PV电池之定义为厚度在20mm以上、具有p/n结结构者。据同一份文件，a-Si薄膜电池、CdTe、CIGS并不在
不总是单晶占优势，前几年我们都在说多晶存在效率提升的瓶颈，但过去的2015年看，高效多晶已经突破20%的理论瓶颈，单是效率数据，现在市场上的高效多晶的转换效率已经高过目前占单晶主流的普通P型单晶
5%上升到15%，未来还会往20-25%提升，改局部展望了，其实2015年的中国市场如果没有主要单晶硅片企业跳出来，往下游做了单晶电池组件，在中国电站市场和多晶一起拼价格，单晶下滑幅度还会更惨
显著。黑硅技术设备商常州比太科技CEO上官泉元表示：今年比太已预期接获1GW的订单，不论是在量产性、或是导入成本与提效的效果上，RIE都是目前最成熟、也最能获得效益的黑硅技术。从目前比太与P型技术领导
