P型硅

领跑者项目就可以看出，布局双面技术已经成为光伏企业的发力点，双面技术正以燎原之势快速发展。 双面组件根据晶硅基底的不同可分为P型双面和N型双面，目前可量产的双面电池结构中以P型PERC双面

四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态氧原子夺取p型硅中的价态电子，形成固定负电荷

将收敛到一个不变的值上，这个值即为最佳栅线设计。 2栅线设计优化实例 设计一个边长为125mm、对角为165mm的n+p型单晶硅太阳电池的上电极。在这里把4个角近似为直角，栅线距离硅片边缘1mm

降低缺陷，匡宇科技利用专利配方，极大的提高了银浆在此类硅片上的拉力，得到了众多客户的认可。 对于PERC高效电池，匡宇科技针对性开发无机配方，推出了PERC 专用正银TC-828P，同时在
双面氧化铝PERC电池的银浆技术上获得突破，成功推出客制化正银TC-858P。针对具有更高效率的N型电池，匡宇科技自主开发的N型太阳电池正银项目正在客户端进行中试。 SNEC大会组委会表示，本次十大

),开路电压(Voc)降低，使得组件的性能低于设计标准，发电能力也随之下降。2010年，NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池，组件在负偏压下都有PID的风险。 图 1

下降，综合成本已降至6万元/吨，行业平均综合电耗已降至73KWh/kg以下;P型单晶及多晶电池技术持续改进，常规产线平均转换效率分别达到20.2%和18.6%，采用PERC和黑硅技术的先进生产线则分别

种类电池的光致衰减程度不同： P型(硼掺杂)晶硅(单晶/多晶)硅片中，光照或电流注入导致硅片中形成硼氧复合体，降低了少子寿命，从而使得部分光生载流子复合，降低了电池效率，造成光致衰减。 而非晶硅

情况如图2 所示。 在文献和内可以找到求取S 的公式，通过式(6)~式(14)来算出。 式中， ns 和ps 代表n 型和p 型结构下硅表面自由电荷的载流子密度;n 为

，可有效预防热斑效应;此外，双玻设计使得该组件的机械性能优异，可应对严苛的环境。 NO.3中来N型超级领牌者产品 中来的此款组件产品为N型+双面技术的叠加，号称为双面王者。相对于P型双面组件

Ш段，频率5Hz，压力23.0～21.0Pa，30点。可测得参数有弹性模量、粘性模量、力矩、形变量、相位角等。 该实验中用于浆料印刷测试使用的硅片为125mm125mm单晶P型硅片，方阻为90