P型单晶

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盘点2014年度十大创新光伏企业与产品来源: 发布时间:2014-12-19 00:52:59

科学与技术国家重点实验室自2013年11月顺利验收以来取得的又一重要里程碑式突破。除了PERC量产单晶组件之外,天合光能IBC电池技术也取得了突破。该公司与澳大利亚国立大学合作研发的小面积新型高效
转换效率达到20.4%,在业内率先实现P电池量产转换效率超过20%。根据规划,晶澳今年10月份将博秀电池生产线扩到4条,计划2015年扩充为8条生产线。2014年底产能将达到170MW,明年达到

2014年十大创新型光伏企业与技术大盘点来源:OFweek 太阳能光伏网 发布时间:2014-12-18 23:59:59

光伏科学与技术国家重点实验室自2013年11月顺利验收以来取得的又一重要里程碑式突破。除了PERC量产单晶组件之外,天合光能IBC电池技术也取得了突破。该公司与澳大利亚国立大学合作研发的小面积新型
电池转换效率高出0.8%。2014年6月20日,晶澳太阳能宣布博秀高效电池正式量产,量产电池平均转换效率达到20.4%,在业内率先实现P电池量产转换效率超过20%。根据规划,晶澳今年10月份将博秀电池生产

【预见】TrendForce预测2015年太阳能市场五大趋势来源: 发布时间:2014-12-16 10:58:59

(4-busbar)的应用也会增加,以获得更高的效率。黄公晖表示,2015年太阳能厂商也将着力于P单晶光衰问题(LID)的改善,N单晶虽会是明年全球展会的重点之一,但目前仍属小型利基市场应用,占整体市场份额变化

rendForce:全球太阳能2015年需求成长16.5% ,新兴市场增长将超越40%来源:世纪新能源网 发布时间:2014-12-15 23:59:59

市场证明可稳定量产高效产品的方式。另一方面,较大尺寸的单晶硅片M1/M2、4BB(4-busbar)的应用也会增加,以获得更高的效率。黄公晖表示,2015年太阳能厂商也将着力于P单晶光衰问题(LID

2015年全球太阳能光伏:需求成长16.5% 新市场增长超40%来源: 发布时间:2014-12-15 15:50:59

市场证明可稳定量产高效产品的方式。另一方面,较大尺寸的单晶硅片M1/M2、4BB(4-busbar)的应用也会增加,以获得更高的效率。黄公晖表示,2015年太阳能厂商也将着力于P单晶光衰问题(LID

机构预测2015年太阳能光伏市场五大趋势来源:TrendForce 发布时间:2014-12-15 14:56:11

,较大尺寸的单晶硅片M1/M2、4BB(4-busbar)的应用也会增加,以获得更高的效率。黄公晖表示,2015年太阳能厂商也将着力于P单晶光衰问题(LID)的改善,N单晶虽会是明年全球展会的重点

TrendForce:全球太阳能2015年需求成长16.5% 新兴市场增长将超越40%来源:PV-Tech 发布时间:2014-12-15 14:42:51

证明可稳定量产高效产品的方式。另一方面,较大尺寸的单晶硅片M1/M2、4BB(4-busbar)的应用也会增加,以获得更高的效率。黄公晖表示,2015年太阳能厂商也将着力于P单晶光衰问题(LID)的

全球太阳能光伏2015年需求成长16.5% ,新兴市场增长将超越40%来源:energytrend 发布时间:2014-12-15 14:27:50

太阳能厂商也将着力于P单晶光衰问题(LID)的改善,N单晶虽会是明年全球展会的重点之一,但目前仍属小型利基市场应用,占整体市场份额变化不大。 2015年前十大组件厂市占超过50% 前五大组件厂

太阳能光伏科技放眼未来──2014回顾系列(二):新能源新技术来源:energytrend 发布时间:2014-12-15 10:29:08

的改良重点。今年,可提升 P-type 单晶电池转换效率的射极钝化及背电极(Passivated Emitter and Rear Cell, PERC)技术正式进入市场,台湾已有旭泓、昱晶、新日光
、N-Type单晶电池 与 P-Type 单晶电池相比,N-Type 电池几乎没有光衰问题,可维持稳定的发电效率。同时,N-Type 电池组成双面电池后的转换效率可上看 22%,比 PERC 工艺下

【刘工总结】光伏组件封装材料总结之太阳能电池的制作工艺来源:阳光工匠光伏网作者:刘殿宝 发布时间:2014-12-14 23:59:59

直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动
专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三