P型单晶硅电池

转换效率为16.8%。HIT是指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜层异质结构。该工艺是在P型氢化非晶硅和n型硅衬底之间增加一层非掺杂的本征氢化

太阳能电池　　硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中
，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统

、一体化制造、一体化安装，而且辅助技术则包括了低能耗、低成本、优质、绿色的建筑材料的技术。低成本长寿命、资源环保型、半导体发光照明灯具，内墙表面的功能化，还有抗结雾结霜的功能，新一代节能环保型的二维化的
家电。 因此，通过建材和资源富有型半导体照明灯具的研发，以及其他有关的材料和细节的研发，还可以在发展一梯化光伏建筑中持续不断地降低房屋造价和增加新的功能，改善居住条件，使新商品房更便

已开始在澳大利亚建造一座70MW的槽型太阳能热发电装置，并计划在以色列建一座200MW的电站，同时正在洽谈在北美洲和另两洲建三座电站，每座200～300MW。Solel公司在澳大利亚的另一目标是
%，实验室最高效率为12%，多结电池为8～10%，实验室最高效率为11.83 %.。由于 生产规模的扩大，生产工艺的改进，晶体硅太阳电池组件的制造成本已降至3～3.5美元/W p，售价也相应降到4~5

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。 （6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和

。常规太阳电池简单装置如图1所示。当N型和P型两种不同型号的半导体材料接触后，由于扩散和漂移作用，在界面处形成由P型指向N型的内建电场。当光照在太阳电池的表面后，能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对

电池种类 转换效率（％） 研制单位 备注*j 单晶硅电池 24.7±0.5 澳大利亚新南威尔士大学 4cm2面积 背接触
聚光单晶硅电池$ 26.8±0.8 美国SunPower公司 96倍聚光 GaAs多结电池 34.7±1.7 Spectrolab 333倍聚光

太阳电池、染料敏化电池、热光伏电池及有机薄膜太阳电池等多种新兴电池的物理化学机理研究已经是当前光伏理论及科学研究的前沿。晶体硅太阳电池继续向高效化、薄型化和大面积方向前进。效率为19%的单晶硅电池和效率
年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原