N型银浆

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分析 | 晶硅电池黑斑分析!来源:零点光伏 发布时间:2018-06-08 17:59:59

p型单晶硅太阳电池在el检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中
。 目前,国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究,然而对于黑斑片却鲜有报道。在p型晶硅电池的大规模生产中,电池的检验常用电致发光(EL)检测仪,根据硅材料的电致发光原理对组件进行

杜邦:伴你同行来源:索比光伏网 发布时间:2018-06-06 10:10:00

光伏产业提供了无数解决方案,从三十年前迄今仍然正常工作的光伏背板,到每一次帮助光伏企业刷新电池转换效率的PV神浆系列银浆,从普通的电池组件材料到、HJT、N、IBC电池等新型技术,都能在杜邦找到答案

协鑫2018SNEC斩获“十大亮点”多项大奖来源: 发布时间:2018-05-29 23:59:59

提供最经济、高效、可靠、环保的能源,如电能、冷能、生活热水、蒸汽等。 协鑫集成:多晶黑硅PERC高效电池获SNEC兆瓦级翡翠奖 在国内领跑者项目的带动下,多晶黑硅PERC、单晶PERC、N单晶等新型
多晶电池效率进一步触摸新高,据测算,MBB技术让电池效率增加0.2%,正面银浆单耗下降25%,还可节省银浆降低成本,抗隐裂可靠性提升。 据了解,协鑫集成目前拥有单、多晶PERC、HJT、MBB等高

2018SNEC:64家光伏巨头强势阵容!谁家最受关注?谁家新品最多?谁家展台设计最亮眼?展台展品各具千秋!来源:光伏头条 发布时间:2018-05-28 21:27:13

、不断创新的明证。 晶科能源控股有限公司是世界领先的太阳能光伏企业,目前公司60P规格高效P型单晶组件功率突破370W,N组件功率达到378.6W,再破世界纪录。未来,以晶科能源为代表的光伏企业,将持续

P型单晶EL黑斑分析来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-24 10:24:55

摘要:p型单晶硅太阳电池在el检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷
发电成本的主要途径。 目前,国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究,然而对于黑斑片却鲜有报道。在p型晶硅电池的大规模生产中,电池的检验常用电致发光(EL)检测仪,根据硅材料的

【干货】EVA是解开光伏行业供求之谜的金钥匙来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-05-20 18:59:59

电池工艺不同、管控水平不同、设备新旧不同会导致对银浆的消耗量差别巨大,双面电池和单面电池银浆消耗量也不同、P型电池和N电池消耗量不同、五主栅和十二主栅消耗量不同。这些因素的干扰下,使得我们无法准确通过

SNEC情报站:你的同行、你的客户怎么做?29企品牌设计大观览!企业传播点、价值观、感召力都在这里!来源:光伏头条 发布时间:2018-05-17 20:18:47

,使用寿命可达30年。 中来 中来将携多款N产品及特殊黑科技亮相SNEC展会 此次展会,中来不仅将携N单晶高效双面产品、N双面王者叠加双面伴侣技术精彩亮相展会,还会分享“美丽乡村365

增益40%:这一新型技术将领跑未来?来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-05-15 18:59:59

举世瞩目的成绩,光伏产业规模已经连续多年位居全球首位,光伏应用市场也连续五年世界第一。我国已经在常规光伏电池生产线上实现设备国产化替代,但高效电池技术,包括黑硅、PERC、N电池等所需的关键设备仍主要依赖
,使用PERC电池技术的单晶和多晶硅电池则进一步使效率提升至21.3%和20.0%。除PERC电池技术外,MWT、N电池、HJT产业化也在加速,高效电池技术越发成熟。 据不完全统计,截至目前,国内

晋能科技预计2018年年底HJT电池平均量产效率有望实现24%来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-14 11:07:14

连续多年位居全球首位,光伏应用市场也连续五年世界第一。我国已经在常规光伏电池生产线上实现设备国产化替代,但高效电池技术,包括黑硅、PERC、N电池等所需的关键设备仍主要依赖进口,国内虽有设备厂商在
多晶硅电池则进一步使效率提升至21.3%和20.0%。除PERC电池技术外,MWT、N电池、HJT产业化也在加速,高效电池技术越发成熟。 据不完全统计,截至目前,国内HJT电池产能已经达到了GW级

HIT电池产业化现状分析来源:OFweek 发布时间:2018-04-27 10:59:20

构造,其特征是以光照射侧的p-i型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-na-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称结构的HIT
,构成空穴传输层。同样,在背表面,由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动,而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅,构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层,使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集