N型银浆

配套：产业链供应配套进展。由于HJT工艺难度大门槛高，因此对硅料、硅片、银浆、靶材等要求更高。且因为HJT尚未量产，行业不具备规模化生产的先要条件。从目前来看，HJT所需材料仍然较高，如N型硅片售价

HJT电池与传统电池相比具有工艺相对简单、无PID现象、低温制造工艺、高效率(P型单晶硅电池高1-2%)、高稳定性、可向薄型化发展等优点，成为未来高效电池的发展方向，国内企业持续发力 HJT 电池
硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。 ③获得较高的转换效率

电池本身的提效可提升电池的成本空间，而硅成本则有望受益于后续 N 型硅片的持续减薄。 预计在 HJT 电池成本进入临界范围的过程中，产业化脚步即有望逐步加快，成本进入临界范围后，HJT 电池对
成本水平大致位于 0.6-0.7 元/W 区间，在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力。预计 9BB 多主栅工艺对银耗的降低可节省非硅成本 0.05-0.06 元/W

HJT 电池本身的提效可提升电池的成本空间，而硅成本则有望受益于后续 N 型硅片的持续减薄。 预计在 HJT 电池成本进入临界范围的过程中，产业化脚步即有望逐步加快，成本进入临界范围后，HJT 电池对
成本水平大致位于 0.6-0.7 元/W 区间，在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力。预计 9BB 多主栅工艺对银耗的降低可节省非硅成本 0.05-0.06 元/W

异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构
，虽然短路电流(Isc)随厚度电池变薄而降低，但开路电压却提高，因此即便使用薄化硅片亦可维持相同电池效率，而薄化电池并再搭配智能网栅技术(SWCT)可在组件上增加5W左右的瓦数输出。因此对于使用N型硅片

项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构对称，加上电池工艺
)随厚度电池变薄而降低，但开路电压却提高，因此即便使用薄化硅片亦可维持相同电池效率，而薄化电池并再搭配智能网栅技术(SWCT)可在组件上增加5W左右的瓦数输出。因此对于使用N型硅片异质结电池来说，藉由

异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构
，虽然短路电流(Isc)随厚度电池变薄而降低，但开路电压却提高，因此即便使用薄化硅片亦可维持相同电池效率，而薄化电池并再搭配智能网栅技术(SWCT)可在组件上增加5W左右的瓦数输出。因此对于使用N型硅片

价格高于P型，随着P型硅片的大幅降价，HJT电池N型硅片的价格劣势被进一步放大，将硅片薄片化可以有效降低电池硅耗量，节约生产成本。 (3)目前，银浆的使用是HJT工艺中极为重要的成本组成，采用的低温

成本降幅 0.25 元/W。3)设备国产 化+提高产能利用率目前捷佳伟创和迈为股份等公司在设备国产化均取得一定进展，预计设备投 资可降至 7 亿元/GW，贡献成本降幅 0.08 元/W。4)N 型
硅片溢价减少目前 N 型硅片的溢价约 为 8%，主要来源于硅料和硅片生产环节，随着硅料国产化和 N 型的放量，这部分溢价会逐步减 少，预计贡献 0.03 元/W 成本降幅。全都实现后，HJT 与

。电池片环节技术升级百 花齐放，PERC+延展 PERC 生命力，N 型电池产业化前景可期，建议积极关注 N 型技术后续产业化进展。未来电池厂商所掌握的高效先进产能规模将决定其 在光伏平价时代的竞争力