N型钝化接触电池

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晶体硅背接触电池工艺需进一步简化来源: 发布时间:2013-05-19 00:09:59

扩还可以降低接触电极的接触电阻。这样通过重扩的孔洞将前表面发射极引入背面,实现把前表面收集的电子传导到背电极上,电池的P型电极和N电极的细栅全部交叉排列在电池背面,简化了封装工艺。前表面依然采用优良

晶体硅背接触电池需进一步简化工艺来源:中国电子信息报 发布时间:2013-05-08 10:33:07

的电子传导到背电极上,电池的P型电极和N电极的细栅全部交叉排列在电池背面,简化了封装工艺。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜,以减少光的反射损失,从而达到了提高电池效率的目的。 与传统

太阳能晶体硅背接触电池需进一步简化工艺来源:中国电子报 发布时间:2013-05-07 23:59:59

发射极引入背面,实现把前表面收集的电子传导到背电极上,电池的P型电极和N电极的细栅全部交叉排列在电池背面,简化了封装工艺。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜,以减少光的反射损失,从而达到了提高

Si太阳能电池达到万亿瓦级规模的技术途径来源: 发布时间:2013-04-16 10:10:31

替代Ag时碰到的挑战的解决方案。 得到的初步结果支持我们的看法,这些结果包括:Al与Se钝化nSi(100)表面间创纪录低的0.08eV肖特基势垒,直至~400℃ Se钝化Si(100)表面和Ni之间硅化的抑制。用价补钝化有可能构建全Al接触硅片太阳能电池,用于低成本万亿瓦规模的部署。

低成本工业生产效率20% nSi MWT太阳能电池的开发来源:SEMI 发布时间:2013-04-06 23:59:59

形技术已可应用,并由英利太阳能投入生产,商标名称是Panda电池(熊猫电池)。本文将nH形在正面和背面有接触网格的非缠绕电池定名为n-PasHa(代表n电池、所有侧面上钝化、有H形网格)。为了

SEMI发布《2013中国光伏产业发展报告》来源:新华网 发布时间:2013-03-27 13:58:40

组件制造商的光伏产品效率已达到24%,国内的电池组件商也在积极开发高效光伏产品。全球P型、N单晶电池效率已分别达到18.5%20%和21%-24%,多晶电池效率达到17%-17.5%。随着高效单晶、多晶

2013中国光伏产业发展报告来源: 发布时间:2013-03-27 10:37:56

光伏产品效率已达到24%,国内的电池组件商也在积极开发高效光伏产品。全球P型、N单晶电池效率已分别达到18.5%20%和21%-24%,多晶电池效率达到17%-17.5%。随着高效单晶、多晶技术的

2013中国光伏产业发展报告(SEMI版)来源: 发布时间:2013-03-27 09:44:59

电池组件商也在积极开发高效光伏产品。全球P型、N单晶电池效率已分别达到18.5%20%和21%-24%,多晶电池效率达到17%-17.5%。随着高效单晶、多晶技术的不断探索与应用,其成本不断下降

中国太阳能产业仍缺乏差异化 ECN视N技术为解决方案来源:Solarzoom 发布时间:2013-02-25 23:59:59

所谓的B/P共渗工艺。该工艺与我们卓越的钝化工艺相结合,可促使N电池的转换效率超过20%。目前,ECN已经获得这两项工艺的专利权。ECN认为这将是非常有效并具有成本效益的工业工艺。替代品亦能展现同等

中国太阳能光伏产业仍缺乏差异化 N技术为解决方案来源: 发布时间:2013-02-25 15:17:59

效率规模领域,但在平均销售价格(ASP)崩溃期间,价格效率比率绝非最佳评判标准。过去两年,全球领先太阳能企业英利绿色能源(纽交所交易代码:YGE)一直致力于N单晶硅电池的研发,并将其成功运用于
)这类新技术能够消除这些障碍。对此您如何看待?ECN:鉴于硼材料的运用工艺不同于常见的磷工艺,因此运用N太阳能电池技术来制造具有成本效益的同质硼发射器仍存有挑战,这点其实众所周知。不过,通过