N型晶硅电池

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【收藏】前三批光伏领跑者基地情况梳理来源:智汇光伏 发布时间:2018-06-28 09:05:54

领跑者计划的带动下,各种先进技术开始竞相进行技术创新与升级,PERC、黑硅、MWT、N双面、异质结等技术呈现百花齐放的局面。在这些先进技术之中,性价比极高的PERC技术脱颖而出,正在逐渐成为领跑者基地
最多。可见,大多数多晶组件刚满足领跑者效率指标,而单晶组件中超越领跑者效率的比例相对更多。 从组件技术路线看,2015大同领跑者基地采用了包括PERC、黑硅、N双面等多种技术路线的新型组件,如图3

1799.35亿!项目在建30个、完工44个、新建14个,2017~2018年20省市光伏重点项目进展情况一览(附表单)来源:光伏头条 发布时间:2018-06-13 20:15:28

全国单体较大的光伏发电扶贫项目之一。 山西省 晋能光伏技术有限责任公司晋中2000兆瓦异质结高效单晶电池和组件项目 集团晋中2000兆瓦异质结晶硅高效电池及组件项目,采用了国际上最前沿的n单晶硅
,利用厂区灰库、四期场地、绿化带等闲置空地铺设光伏板,整个项目占地面积约为627亩,铺设280W/285W单晶硅电池组件约10.5万块。该工程于2017年2月9日正式开工建设,累计安装支架2236组

分析 | 晶硅电池黑斑分析!来源:零点光伏 发布时间:2018-06-08 17:59:59

。 目前,国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究,然而对于黑斑片却鲜有报道。在p晶硅电池的大规模生产中,电池的检验常用电致发光(EL)检测仪,根据硅材料的电致发光原理对组件进行
p型单晶硅太阳电池在el检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中

多晶单瓦价格可降至1.4元 光伏平价时代即将到来来源:中国电力新闻网 发布时间:2018-06-04 10:54:13

、长治基地申报主体较多,共24企业次,上饶基地共6企业次。从申报的电池技术类型来看,当前处于产业化发展不同阶段的各类高效电池均有涉及,包括多晶P型PERC、单晶P型PERC、单晶NPERT

真实的“双面组件”是什么样?来源:太阳能发电网 发布时间:2018-05-29 17:14:05

通俗地讲,两面受光均可发电的晶体硅太阳电池就是双面晶体硅太阳能电池,俗称双面电池。而采用不同于常规组件制备技术将双面电池封装而成的组件,则称为双面组件。 双面电池可采用N和P型晶体硅材料制成
,包括NPERT电池、HJT电池、IBC电池,以及P型PERC双面电池等。 图一:几种典型的双面电池(PERT、HJT、IBC)示意图及结构 图二:P型单晶PERC双面电池正面(左)背面(右

先导与微导新品发布会亮相2018SNEC 现场与隆基乐叶签订1.45亿元大订单来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-28 15:39:43

高效晶硅电池量产关键技术的多个突破:N-PERT电池保持国产高效电池最高量产效22%;P-PERC电池突破技术瓶颈,在多家光伏标杆企业实现量产;ALD技术成功用于PERC电池量产电池效率达21.7
%,在运行批量型ALD设备中国市场占有率80%以上! 江苏微导全球首发的KF6500原子层沉积(ALD)钝化设备是微导在自身技术基础上的全新突破,用于PERC电池生产产能达6000片/小时以上,并可

P型单晶EL黑斑分析来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-24 10:24:55

发电成本的主要途径。 目前,国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究,然而对于黑斑片却鲜有报道。在p晶硅电池的大规模生产中,电池的检验常用电致发光(EL)检测仪,根据硅材料的
摘要:p型单晶硅太阳电池在el检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷

谁将打破单晶Perc的神话?HIT或将成下一个光伏电池新赛来源:365光伏 发布时间:2018-05-22 16:18:41

。 HIT专利从2015年过期,现在各家发展HIT已无专利方面的障碍,核心障碍在于如何把成本做低,HIT成本方面的障碍主要来自:1、设备未完成国产化单位产能投资额度较高;2、产量较小导致N硅片、关键辅材
%) 更高的双面率(理论双面率可做到98%) 更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大) 更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象) 更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%,常规晶硅电池

HIT:单晶perc之后的下一个光伏电池新赛道?来源:SolarWit 发布时间:2018-05-21 09:35:25

。 HIT专利从2015年过期,现在各家发展HIT已无专利方面的障碍,核心障碍在于如何把成本做低,HIT成本方面的障碍主要来自1、设备未完成国产化单位产能投资额度较高;2、产量较小导致N硅片、关键辅材价格
%) 更高的双面率(理论双面率可做到98%) 更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大) 更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象) 更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%,常规晶硅电池

增益40%:这一新型技术将领跑未来?来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-05-15 18:59:59

,使用PERC电池技术的单晶和多晶硅电池则进一步使效率提升至21.3%和20.0%。除PERC电池技术外,MWT、N电池、HJT产业化也在加速,高效电池技术越发成熟。 据不完全统计,截至目前,国内