N型晶硅电池

，近几年来，如Silevo、LG、TetraSun等诸多企业致力研发生产低成本的高效晶硅电池的成果显著，且不约而同地均基于N型单晶硅片。继TetraSun去年被FirstSolar收购以后，SolarCity

正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。仍然以中环股份为例，虽然其N型单晶硅片尚未在国内获得广泛应用，但鉴于行业内对单晶趋势已普遍认可
程度的质量问题，甚至有建成不过三年的光伏电站的组件衰减率竟然高达68%。而近日，有媒体报道称，一些应用于光伏电站的晶体硅组件两三年内的衰减率在3.8%-7.0%间，非晶硅电池组件衰减率高达20%，都

，非晶硅电池组件衰减率高达20%，都明显高于正常值。其它如光伏组件变黄爆裂、支架事故等，也屡见不鲜。 　　以投资者角度来看，规避这一风险，可以选择单晶+自持电站。一位不愿具名的券商人士向《证券日报
》记者解释，在全球市场上，几乎没有衰减的单晶光伏组件市占率正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。 　　仍然以中环股份为例，虽然其N

。法国奥德约太阳能发电站是世界上第一个实现太阳能发电的太阳能电站。虽然当时发电功率才64千瓦，但它为后来的太阳能电站的研究与设计奠定了基础。2008年12月19日，我国第一个荒漠化并网型光伏电站大唐甘肃
年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年，半导体

，在全球市场上，几乎没有衰减的单晶光伏组件市占率正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。仍然以中环股份为例，虽然其N型单晶硅片尚未
，非晶硅电池组件衰减率高达20%，都明显高于正常值。其它如光伏组件变黄爆裂、支架事故等，也屡见不鲜。以投资者角度来看，规避这一风险，可以选择单晶+自持电站。一位不愿具名的券商人士向《证券日报》记者解释

的单晶光伏组件市占率正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。仍然以中环股份为例，虽然其N型单晶硅片尚未在国内获得广泛应用，但鉴于行业
出现了不同程度的质量问题，甚至有建成不过三年的光伏电站的组件衰减率竟然高达68%。而近日，有媒体报道称，一些应用于光伏电站的晶体硅组件两三年内的衰减率在3.8%-7.0%间，非晶硅电池组件衰减率高达

电池内部电场作用下移动至电池表面，造成玻璃体电阻降低； Na+的析出及移动过程 （4）经过美国NERL（国家能源部可再生能源实验室）的研究无论采用任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压
表面堆积，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极（P极）。这种表面极化现象而引起的输出功率衰减就是PID效应。 3、如何抑制PID效应的发生？ 了解到

）的研究无论采用任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框通常都是接地的，造成单个组件和边框之间形成偏压，所以越靠近负极输出端的组件承受负偏压现象越明显
电池片表面堆积，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极（P极）。这种表面极化现象而引起的输出功率衰减就是PID效应。3、如何抑制PID效应的发生？了解到PID效应

，造成玻璃体电阻降低；Na+的析出及移动过程（4）经过美国NERL（国家能源部可再生能源实验室）的研究无论采用任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框
表面边框支架，最终流向大地。负偏压作用下漏电流路径【2】（6）在漏电流的作用下，带正电的载流子穿过玻璃，通过边框流向地面，使得负电荷在电池片表面堆积，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而

任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为光伏阵列的组件边框通常都是接地的，造成单个组件和边框之间形成偏压，所以越靠近负极输出端的组件承受负偏压现象越明显。 （5）在负
，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极（P极）。这种表面极化现象而引起的输出功率衰减就是PID效应。3、如何抑制PID效应的发生？了解到PID效应