N型异质结

。 HIT专利从2015年过期，现在各家发展HIT已无专利方面的障碍，核心障碍在于如何把成本做低，HIT成本方面的障碍主要来自：1、设备未完成国产化单位产能投资额度较高;2、产量较小导致N型硅片、关键辅材
-0.46%) 更适合与叠瓦技术相结合(HIT电池柔性不易隐裂，更适合) 下面我们逐条分析HIT电池的每一个点。 1、更高的效率潜力 HIT采用N型硅片具有较高的少子寿命，同时HIT采用特殊的

。 HIT专利从2015年过期，现在各家发展HIT已无专利方面的障碍，核心障碍在于如何把成本做低，HIT成本方面的障碍主要来自1、设备未完成国产化单位产能投资额度较高;2、产量较小导致N型硅片、关键辅材价格
-0.46%) 更适合与叠瓦技术相结合(HIT电池柔性不易隐裂，更适合) 下面我们逐条分析HIT电池的每一个点。 1、更高的效率潜力 HIT采用N型硅片具有较高的少子寿命，同时HIT采用特殊的

，使用寿命可达30年。 中来 中来将携多款N型产品及特殊黑科技亮相SNEC展会 此次展会，中来不仅将携N型单晶高效双面产品、N型双面王者叠加双面伴侣技术精彩亮相展会，还会分享“美丽乡村365

℃工作温度下可挽回34%的发电量损失。异质结组件采用n型硅片，无PID，无光致衰减(LID)，具备首年1%，后续每年0.4%的超低功率衰减。同时具备优异的弱光响应能力，在早晚和阴天具有更高发电量。整体较常规

的效率要求分别提升到了17%和17.8%以上，技术领跑基地相应对效率的要求更是达到了18%和18.9%以上。在此情况下，PERC、N型、HJT、IBC等电池技术迅速发展，双面、双玻等新型组件也层出不穷
200多篇，已被他人引用超过4000次;出版学术专著1部(《硅基异质结太阳电池物理与器件》，39.6万字，科学出版社，2014)，主编学术专著1部(《太阳能光伏技术与应用》，86.4万字，上海交通大学

构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT
，构成空穴传输层。同样，在背表面，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅，构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集

。 最新的统计数据也显示，在近期公布的8大光伏应用领跑者基地中标企业、38个项目招标中，仅单晶PERC技术的申报数量就高达19个，其次是单晶PERC双面，共计10个项目申报;再者为N型单晶双面、单晶
。他介绍称，由于采用N型衬底，HJT技术的光衰减率仅0.5%，使得光电转换效率大大提升，这决定了在相同寿命周期内，发电量更高。再者，较低的温度系数也是HJT技术的一大优势，其温度系数仅为常规组件的二分

们只需要取得技术优势而不是平准化度电成本( LCOE )优势 如果单晶硅片供应充足，人们在p型和n型之间切换时就不会受到限制 p型单晶和n型单晶都可以使用异质结。N型单晶的效果更好，绝对效率可能

。 该尺寸电池的效率记录此前由天合光能保持，天合在2018年2月14日宣布了其6寸电池效率达到25.04%，采用背电极结构，材料为Cz生长n型单晶硅，并称这是总过首个效率突破25%的国产晶硅单结电池。
达到25.09%) 此次打破记录的电池的采用异质结背电极结构，夏普在异质结技术上有传统优势和积累，但沉积在电池正面的非晶硅钝化层和电极层会吸收光能，造成异质结电池短路电流的损失。因此各公司和研究机构都