N型异质结电池

HJT电池与传统电池相比具有工艺相对简单、无PID现象、低温制造工艺、高效率(P型单晶硅电池高1-2%)、高稳定性、可向薄型化发展等优点，成为未来高效电池的发展方向，国内企业持续发力 HJT 电池
硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。 ③获得较高的转换效率

电池本身的提效可提升电池的成本空间，而硅成本则有望受益于后续 N 型硅片的持续减薄。 预计在 HJT 电池成本进入临界范围的过程中，产业化脚步即有望逐步加快，成本进入临界范围后，HJT 电池对
%。 设备国产化加速推进：目前制约异质结电池产业化规模的主要原因之一是核心工艺设备板式 PECVD 无法兼备大产能、高良率、低价格三要素。针对这一问题，国内设备厂商近年来已进行了多方面的深入研发，且已

HJT 电池本身的提效可提升电池的成本空间，而硅成本则有望受益于后续 N 型硅片的持续减薄。 预计在 HJT 电池成本进入临界范围的过程中，产业化脚步即有望逐步加快，成本进入临界范围后，HJT 电池对
%。 设备国产化加速推进：目前制约异质结电池产业化规模的主要原因之一是核心工艺设备板式 PECVD 无法兼备大产能、高良率、低价格三要素。针对这一问题，国内设备厂商近年来已进行了多方面的深入研发，且已

异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构

项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构对称，加上电池工艺

异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构

联合体等均公布扩产计划，整体需求资金可能超过2000亿元。 选择之多， N 型电池、HIT 异质结电池、IBC 背接触电池、钙钛矿电池、166、210和18X大尺寸多种技术、生产路线同时出现

分析师王革指出，未来光伏市场变化的关键不在硅片环节，而是电池环节，因为电池在光伏全产业链中技术最复杂、迭代最快。相信未来N型异质结电池将在经济性方面取得竞争优势，打破临界状态，成为行业的首选。
太阳能研究所所长沈文忠教授表示，国内已经有多家企业的异质结电池实现量产，总产能超过1GW，且部分企业正在筹建更大产能。他表示，异质结电池技术想实现大规模产业化，还需要在技术成熟度、设备投资成本、重要辅材

不断发展，电池效率已逐渐接近瓶颈。与之相比，N型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到N-Topcon、HJT等N型电池方向。 基于N型硅片的异质结电池

。电池片环节技术升级百 花齐放，PERC+延展 PERC 生命力，N 型电池产业化前景可期，建议积极关注 N 型技术后续产业化进展。未来电池厂商所掌握的高效先进产能规模将决定其 在光伏平价时代的竞争力