硬件成本下降的降本,边际难度越来越高。随着 PERC 转换效率逐渐接近天花板,电池片厂商开始相继布局具有更高效率,更低衰退率,更高发电量的 N 型太阳能电池技术,例如隧穿氧化钝化接触
电池(TOPCon),异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。
未来五年,随着材料技术和工艺技术不断进步,行业还能进一步地去降本。
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从周期到成长
光伏行业最近这一波上涨,最核心逻辑是,碳中和背景
替代薄膜和单晶硅片替代多晶硅片的过程为异质结替代单质结做好了产业铺垫,因为异质结电池的硅片基底是N型单晶硅片,P型单晶制备工艺可以转化为N型工艺(这并不是能级跃迁),所以当P型单晶硅片全面替代P型
完全能满足薄片化的需要,但硅片厚度还要满足下游电池片、组件制造端的需求。目前多晶硅片平均厚度在180um,P型单晶硅片和TOPCon电池的N型单晶硅片厚度都在175um,用于异质结电池的硅片厚度可降到
intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底,通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜,并采用双面透明导电薄膜做电流收集层
近日,晶科能源宣布最新研发的N型单晶组件,经权威第三方机构TUV莱茵上海实验室测试后,最高转换效率达到23.01%,刷新了组件效率世界纪录。 通过本次的N型单晶组件,晶科能源把单晶组件的
光伏市场的不断发展,高效电池将成为市场主导,单晶硅电池市场份额逐步增大,2019年单晶硅片市场份额超过50%,随着异质结电池、N型PERT电池的应用推广,N型单晶硅片的市场份额,也将逐年提高,单晶硅片的
。C-HJT(Copper-Heterojunctionwith intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底,通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征
,电池片厂商开始相继布局具有更高效率,更低衰退率,更高发电量的N型太阳能电池技术,例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon),异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时,设备厂商正在布局
的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer),是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底,在硅片正面依次沉积本征
发展趋势,对于电池企业,单瓦成本更低,从而实现更高利润;另一个需要关注的逻辑就是电池从P型向N型切换,现在来看,N型异质结电池会接替P型PERC电池后面的任务,PERC能够实现23%的转换效率,但是如果要进一步做到25%,后面就需要异质结来担负起这个使命了。
发展趋势,对于电池企业,单瓦成本更低,从而实现更高利润;另一个需要关注的逻辑就是电池从P型向N型切换,现在来看,N型异质结电池会接替P型PERC电池后面的任务,PERC能够实现23%的转换效率,但是如果要