N型太阳电池

情况如图2 所示。 在文献和内可以找到求取S 的公式，通过式(6)~式(14)来算出。 式中， ns 和ps 代表n 型和p 型结构下硅表面自由电荷的载流子密度;n 为

有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高
，还影响烧结后线的密度以及与N型硅半导体的接触效果，其中最主要的是浆料有无可优化的印刷性。现在大规模推广使用的太阳能电池浆料已经具备了良好的接触性与导电性能，而真正的瓶颈印刷适应性能的研究却无明显进展

已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将
表面反应物的方式，将沉积过程控制在原子水平。以前驱体三甲基铝和水为反应物，经过一系列反应构成了一次ALD循环，在n型晶体硅表面沉积形成Al2O3薄膜，通过控制循环次数即可得到所需的薄膜厚度。原子层沉积的最大

，其次为中广核、晶科。 关键点1：全部单晶，P型双面双玻成主流，N型追赶 由于在中国领跑者基地中的重要位置，国家电投对组件的技术类别选型走向有着关键的作用。近日，国家电投公布了将用于海兴、寿阳、大同

太阳电池对杂质的容忍度要明显大于P型硅电池。但从P型电池工艺的丝网印刷来看，N型电池在转换效率上一些关键工艺还有待解决，而且制造成本也没有优势。 2)优化减反膜。 Kang研究发现，虽然采用沉积

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
成像。由于晶硅太阳电池中少子的扩散长度远远大于势垒宽度，电子和空穴通过势垒区时因复合而消失的几率很小。在正向偏置电压下，p-n结势垒区和扩散区注入了少数载流子，这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光

备受瞩目，PERC电池较常规电池具有良好的效率优势，较N型、HIT等高效技术具有更好的成本优势。未来以PERC为代表的高效电池技术必将成为市场的主流。
等一系列优势。 PERC电池的光衰问题 P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。 单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池

研发及产业化方向。高效组件将成为市场主流，尤其是以N型单晶双面发电技术为核心的高效组件。宋登元博士表示，从国家领跑者招标和实际运行情况来看，N型单晶双面发电技术极具优势。英利熊猫就是基于N型单晶初始光

，PERC) 电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。通过ALD技术，在电池片背表面沉积一层Al2O3，然后再使用等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical
VaporDeposition，PECVD) 在背面镀一层Si3N4 薄膜，对Al2O3 起保护作用;同时，这层Si3N4薄膜还能提高少子寿命，增加对长波的反射，对光进行充分利用，增加硅片对长波的吸收，显著

完全接触，而PERC 太阳电池铝背场是通过激光开窗的空洞区域与硅片进行局部接触。 图3 为n 型晶体硅太阳电池结构示意图。n型晶体硅太阳电池较p 型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、光致衰减小等