N型单晶硅片

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08年电力设备业研究报告:太阳能行业前景广阔来源: 发布时间:2008-03-31 10:24:59

目前生产的多晶硅产品质量基本上能满足集成电路及功率器件发展的技术要求,用户可不经腐蚀、清洗直接装炉。多晶硅质量指标好,产品稳定,多晶硅N电阻率都在1000Ωcm以上。表7、表8、表9为几家
面积大于1平方米,光电转换接近9%的大型非晶硅太阳能组件已研制出来。非晶硅太阳能电池的自然衰降率与电池的材料、工艺和结构有关,呈现指数型衰降,第一年效率约衰降10%-20%不等,以后逐年减少。克服或者

光电是硅材料市场热点来源:Solarbe.com 发布时间:2008-03-20 13:28:26

是光伏太阳能电池用硅晶体和化合物半导体材料;其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者,太阳能电池用单晶重点解决大直径高寿命N中阻单晶,寿命达毫秒量级,直径8英寸;现普遍
,影响了单晶硅片生产企业的发展,同时也影响了集成电路和分立器件生产企业的发展势头。为此我国需要开发先进的多晶硅生产工艺,提高多晶硅的产品质量。   目前半导体材料对硅而言,其热点是在光电方面。其一

(二)单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-10 14:46:18

)加料:将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼,磷,锑,砷。   (2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定
用作添加剂;如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品,此部分应按边角料征税。   重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质(种类有硼,磷,锑,砷。杂质的种类依电阻的N或P型)放入

(一)单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-10 14:45:21

:   主要检测参数为电阻率、碳浓度、N少数载流子寿命;外形主要是块状的大小程度;结构方面要求无氧化夹层;表面需要经过酸腐蚀,结构需致密、平整,多晶硅的外观应无色斑、变色,无可见的污染物。对于特殊要求
)和单晶硅片(商品编号38180011)的加工贸易单耗标准。   本标准适用于海关和外经贸部门对用多晶硅(商品编号28046190)加工生产单晶硅棒(商品编号28046110)、单晶硅片(商品编号

太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:25:55

广泛应用于太阳电池窗口层,并作为n层,与p型材料形成p-n结,从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响,特别是对电池转换效率有很大影响。 一般认为,窗口层对光激发载流子是死层,其