N型光伏电池

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2012年太阳能光伏电池十大“最”(图)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-12-12 05:33:59

。双方自去年夏天起就开始共同开发斑马交错背接触技术,据称这一技术有潜力将太阳能电池的效率提升至24%以上。斑马背接触电池使用156 156mm n单晶硅片(Cz),由于p-n结和电极连接均在电池

光伏并网发电普识大汇总来源: 发布时间:2012-12-11 12:17:50

吸引力的能源利用技术。全球范围内太阳能光伏电池产能显著增长的同时,太阳能光伏并网发电的发展步伐逐年加快。据EPIA统计数据,20世纪末期,太阳能光伏并网发电容量开始出现逐年扩大趋向。21世纪以来,全球
2020―2040年间接近电力市场平均电价。并网太阳能光伏发电系统是由光伏电池方阵、控制器、并网逆变器组成,不经过蓄电池储能,通过并网逆变器直接将电能输入公共电网。并网太阳能光伏发电系统相比离网太阳能

ECN研讨会称MWT光伏技术已经满足量产条件来源: 发布时间:2012-12-05 10:36:16

技术已经经过几个制造商的评估,做好了大规模生产的准备。相比采用传统电极设计的传统电池,MWT光伏电池和组件据称可以凭借更高的效率和简单的电池组件封装降低成本。此外,如果与类似选择性发射极、双面钝化和n

光伏技术一周最新动态汇总(第二期)来源: 发布时间:2012-11-30 15:17:13

程对电池的损害。金属带与另外单独的两侧加热器控件形成一个热障,两侧的热控制器还可以让铝/硅变成更加高效的++P.对于N太阳能光伏电池,正面和背面电极都用银浆,一起烧制比单个烧制更加有效。迄今,传送带

太阳能光伏产业突围要靠光伏高效电池来源: 发布时间:2012-11-29 09:48:59

对电池效率的提升空间已经越来越有限,电池效率的进一步提升将依赖新结构、新工艺的建立。具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、背面主栅电池及N电池等。这些电池结构采用不同的技术途径
下一个高潮。高效电池就是光伏的突围之匙有核心技术,自然能得到资本的青睐,解决资金的短缺。自然能够突破价格战和产能过剩的困局,获得更高的利润。据计算,太阳能光伏电池转换效率每提高一个百分点,将使太阳能电池

光伏产业突围要靠高效电池来源: 发布时间:2012-11-28 10:31:41

改进对电池效率的提升空间已经越来越有限,电池效率的进一步提升将依赖新结构、新工艺的建立。具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、背面主栅电池及N电池等。这些电池结构采用不同的技术
,迎来光伏的下一个高潮。高效电池就是光伏的突围之匙有核心技术,自然能得到资本的青睐,解决资金的短缺。自然能够突破价格战和产能过剩的困局,获得更高的利润。据计算,太阳能光伏电池转换效率每提高一个百分点

光伏技术一周最新动态汇总(第一期)来源: 发布时间:2012-11-23 14:02:27

(2012.22.3549-35542012, 2012.22.18930-18938,2012.22.23411-23417)。邢台晶龙区分P/N硅料的显色溶液和区分方法获国家专利近日,从晶龙集团邢台
晶龙公司传来喜讯:其自主研发的区分P/N硅料的显色溶液和区分方法获得国家发明专利证书。之前,分选硅料的普通显色溶液只能区分不同浓度掺杂的硅料,不能区分P型和N硅料。加之在现有的生产工艺中,对小块

第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会议程来源:上海市太阳能学会 发布时间:2012-11-13 08:50:22

待定---------------------------------无锡国家光伏检测中心 孙 晓 6、一种用于宽波段吸收光伏电池的测试方法 --成都国家光伏检测中心 夏庚培 7、题目待定
性对III-V族太阳电池性能的影响中山大学太阳能系统研究所 陈镇光 18、Co掺杂ZnS的纳米结构与稀磁特性研究--------上海电力学院太阳能研究所 房文健 分会场七:N电池技术

中国光伏产业忍无可忍 对欧盟多晶硅“亮剑”来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-11-02 14:48:59

。厘米(cm);基硼电阻率《2600欧姆。厘米(cm);碳浓度》1.0 1016(at/cm3);n少数载流子寿命《500 s;施主杂质浓度》0.3 109;受主杂质浓度》0.083 109 。主要用途
Polysilicon。被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率《300欧姆

关于对欧盟多晶硅反倾销立案的公告来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-11-01 10:57:59

电阻率《300欧姆?厘米( ? cm);基硼电阻率《2600欧姆?厘米( ? cm);碳浓度》1.0 1016(at/cm3);n少数载流子寿命《500 s;施主杂质浓度》0.3 109;受主
:Solar-Grade Polysilicon。被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷