IGBT

：受到欧洲债务危机的影响，欧洲各国光伏策有可能转向，从而抑制需求。中国光伏发电加速后，竞争者进入，光伏逆变器价格和毛利率水平不断下滑。受到日本地震的影响，半导体元器件的供给制约，日系IGBT厂商的生产能力恢复的进度成为整个逆变器上游价格不确定性的重要风险因素。

项目均按计划快步实施，目前产能已达到600MW，下半年将陆续释放，设备改造正在进行中。半导体材料收入4.49亿元，同比增长104.10%，毛利率同比上升2.61个百分点至29.59%。重点推动"IGBT及
%，毛利率同比上升1.73个百分点至-4.00%。公司将重点推动大功率IGBT芯片、保护电路用的TVS系列产品等研发项目。我们预期年末光伏材料产能将达到1GW，产能效率持续提升将强化公司光伏产业地位

，其中IGBT模块将从现在的30亿美元增长到50亿美元。三菱电机的IGBT模块在2010年已占市场总额的30%以上，预期从2011年到2014年每年增长15%。同时，面对全球节能意识的日益提高，对功率

设备，以及重点研发生产全控型大功率电力电子器件（IGBT）、多电平大功率换流器等耐高压大电流的电力电子器件。电子书以电子阅读终端制造产品为重点，打造电子书产业集群。其中，扶持川奇光电做大产业规模，开发

另一级的纹波电流，因而可在很宽工作输入范围上去除输入纹波电流。如FAN9612交错式BCMPFC一类的控制完全能够轻松满足太阳能升压级的要求。逆变器中的升压开关有两个选择：IGBT或MOSFET。对于
采用600V/650VMOSFET，但因为新的草案规范要求输出级以四象限工作，于是在这一领域重新点燃了人们对IGBT的兴趣。MOSFET虽然内置有体二极管，但相比IGBT中采用的组合封装二极管，其开关

重点研发生产全控型大功率电力电子器件（IGBT）、多电平大功率换流器等耐高压大电流的电力电子器件。电子书以电子阅读终端制造产品为重点，打造电子书产业集群。其中，扶持川奇光电做大产业规模，开发应用彩色

索比光伏网讯:发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。一、太阳能对逆变器的要求
（像MOSFET或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种逆变器通过增加周期内脉冲的切换次数，来降低电压、电流的谐波含量；谐波含量与脉冲切换次数呈正比。目前

,跻身全球测试榜单前10名。CPSSC20KTL-O采用专利的三电平技术、IGBT和MOSFET并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能

标准, 跻身全球测试榜单前10名。 CPS SC20KTL-O采用专利的三电平技术、IGBT和MOSFET并联技术, 使效率在全范围内达到最大化, 并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪

索比光伏网讯:随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率
元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。IGBT技术演进日趋成熟IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N；而IGBT的基板极性为P。由IGBT