IGBT

IGBT,索比光伏网为您提供IGBT相关内容,让您快速了解IGBT最新资讯信息。关于IGBT更多相关信息,可关注索比光伏网。

光伏行业光环隐褪 13家净利润下滑超40%来源: 发布时间:2012-04-07 08:37:59

5月,中环股份拟以不低于11.75元/股的价格定向增发不超过9000万股,募资11亿元投向IGBT及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目和绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目

光伏市场启动加快太阳能板块王者归来来源: 发布时间:2012-03-07 08:22:59

的企业,将充分受益于IGBT、MEMS、高效图像传感器和高效太阳能制造等市场的高成长。尤其是国内IGBT市场预计未来每年实现25%以上的增速,公司是最大受益者。公司的8英寸110晶向直拉硅单晶和CFZ

光伏逆变器发展将会越来越快来源: 发布时间:2012-02-24 10:43:04

各种电子元器件、结构件、电气元器件、电线电缆等。逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(BJT),功率场效应管(MOS-FET),绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断
晶闸管(GTO)等,在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET,在大容量系统中一般均采用IGBT模块,而在高压特大容量(1000KVA以上)系统中,一般均采用IGCT、GTO等作为功率元件。供应商主要

揭秘:国内光伏逆变器企业的主要竞争对手来源: 发布时间:2012-02-22 10:59:27

下表:光伏发电用逆变器主要原料逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(BJT),功率场效应管(MOS-FET),绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等,在小容量
低压系统中使用较多的器件为MOSFET,在大容量系统中一般均采用IGBT模块,而在高压特大容量(1000KVA以上)系统中,一般均采用IGCT、GTO等作为功率元件。供应商主要集中于日本、德国几大

美高森美 Microsemi:太阳能是半导体技术增长最快的细分市场来源:电源门户 发布时间:2012-02-20 23:59:59

技术,提供极低的传导和开关损耗,可实现具有更高效率和功率密度水平的开关系统设计。此外,由于传导损耗在总体系统损耗方面占据主导地位,MOS 8? IGBT已经针对低工作频率(10 KHz - 30 KHz
)而优化。MOS 8 PT IGBT产品系列则在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低传导损耗特性。  此外,美高森美不断扩大的DC/DC产品

中国2012年金太阳示范工程申报工作启动来源: 发布时间:2012-02-02 11:00:59

电流监测功能,电磁兼容性能应满足相应的环境使用要求;4. 按照CNCA/CTS0004-2009A《并网光伏发电专用逆变器技术条件》要求,通过国家批准认证机构的认证,关键器件和原材料(IGBT、变压器

2012《金太阳示范光伏工程》申报要求(官方解读)来源: 发布时间:2012-02-02 09:31:14

;4.按照CNCA/CTS0004-2009A《并网光伏发电专用逆变器技术条件》要求,通过国家批准认证机构的认证,关键器件和原材料(IGBT、变压器、滤波器等)型号、规格及生产厂家应与认证产品一致

光伏寒冬最后的阳光地带 逆变器如何自保血脉来源:NE21.COM 发布时间:2012-02-02 09:18:20

国家电网公司对所有的太阳能电站进行了低电压穿越测试,“很多中小企业都倒下了”。   挑战还来自产业链。国内光伏逆变器厂商的能力主要在于架构和参数设计,大部分生产材料需要对外采购。其中,IGBT(绝缘

2012年金太阳示范工作启动来源:财政部网站 发布时间:2012-02-01 17:00:10

,关键器件和原材料(IGBT、变压器、滤波器等)型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。   5、质保期不低于2年。   6、鼓励采用高发电性能、高智能管理、安装灵活方便的新型逆变器。   (二

光伏逆变器:“寒冬”中逆势而上来源: 发布时间:2012-01-19 09:13:59

是第一生命力,在这方面国内产品还有很长的路要走。挑战还来自产业链。国内光伏逆变器厂商的能力主要在于架构和参数设计,大部分生产材料需要对外采购。其中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块等大功率半导体器件