IGBT

逆变器特点为CEC效率为98.5%、1000V DC输入、低电压穿越(LVRT)、高电压穿越(HVRT)、FRT、功率限制以及IGBT单位slide-n-swap技术，在恶劣户外环境中易于维护，同时

98.5%、1000V DC输入、低电压穿越(LVRT)、高电压穿越(HVRT)、FRT、功率限制以及IGBT单位slide-n-swap技术，在恶劣户外环境中易于维护，同时大幅折扣对抗大多数竞争对手

随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件；而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT
应用市场。据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场

/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固
，盈利能力较差，公司大功率IGBT 产品已小批量生产，国内大部分市场被欧美日企业占据，未来进口替代空间大。 投资逻辑:从光伏制造到聚光电站，业绩有望高速增长。 公司是逐渐向新能源转型的半导体

索比光伏网讯: 8月20日，中国南车集团株洲南车时代电气股份有限公司IGBT产业化建设项目机台搬入按期启动，首批设备顺利实施入场。至此，该项目完成主体厂房基本竣工和首台设备正式搬入等关键节点，正式
进入大批量工艺设备搬入、安装和调试阶段，朝着今年年底生产线正式投产的原计划目标稳步推进。此次入场的设备将用于IGBT芯片生产，主要有全自动接近式正面曝光的光刻机及关键尺寸扫描电子显微镜等设备，均代表着

加速进口替代步伐 大幅降低IGBT模块成本 9月12日，由中国北车集团所属的上海北车永电电子科技有限公司设计制造的3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及其配套3300V
/100A FRD芯片在西安通过专家鉴定，宣布研制成功。IGBT芯片是自动控制和功率变换的关键核心部件。中国北车的IGBT器件封装业务自此将迈开使用自主IGBT高功率芯脏替代进口的步伐，有望大幅降低公司

索比光伏网讯:9月12日，中国北车对外发布了其研制成功并通过专家鉴定的高压大功率3300V/50A IGBT芯片及应用这种芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块。中国自此有了完全自主的
IGBT 中国芯。由中国北车所属上海北车永电电子科技有限公司（上海北车永电公司）设计开发的3300V/50A IGBT芯片是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片，迈开了中国自主IGBT功率芯脏替代

供货周期,推动中环股份CFZ项目的实施。另外8英寸区熔硅在半导体领域非常好的应用前景,尤其是在IGBT大功率器件领域。据估计,我国IGBT需求将进入快速增长期,公司区熔炉市场前景可期。

、0.63. 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固，市占率超70%，盈利能力稳定，公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体
芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高，盈利能力较差，公司大功率IGBT产品已小批量生产，国内大部分市场被欧美日企业占据，未来进口替代空间大