IBC背接触

1975年，Schwartz首次提出背接触式太阳电池，最初应用于高聚光系统中。经过多年的发展，研发出了交叉指式背接触(IBC，Interdigitatedbackcontact)太阳电池。 IBC

联合体等均公布扩产计划，整体需求资金可能超过2000亿元。 选择之多， N 型电池、HIT 异质结电池、IBC 背接触电池、钙钛矿电池、166、210和18X大尺寸多种技术、生产路线同时出现

优化，效率可提升至 24%及以上水平，可进一步拉开与 PERC 的效率差距。 IBC 电池(交叉指式背接触太阳能电池)：IBC 电池以 N 型硅为衬底，PN 结和金属接触均位于背表面

，是目前市场主流产品。 PERC激活P型潜力，效率提升明显。PERC技术通过将电池背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，实现背表面电子复合速度的降低以及提高光反射，从而提升发电效率。在

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂
瓶颈，P 型电池片向 N 型电池片转型或势在必行。目前 N 型电池片技术主要包括 N-Pert、TopCon、异质结和 IBC 四大技术方向。光伏发电基于光生伏特原因，机理和半导体接近，随着电池

背接触电池等众多高效电池技术路线中，PERC路线的经济性在产业中得到迅速认可。 相较于传统单晶组件，PERC电池组件替代趋势已经出现。近年来，随着PERC造价走低，其相比于传统电池的经济性日益凸显
第二轮光伏技术驱动转移至电池片环节，行业进入电池片PERC化时代。2018年之前，常规BSF电池依然占据主流地位，2017年其市场占比仍高达83.3%，而在PER电池、N型电池、HIT异质结电池和IBC

%：在高效光伏电池领域，IBC(Interdigitated Back Contact，交叉背接触)电池在产业中也颇受关注，其结构特点是p-n结和金属电极接触都位于电池背部，电池正面避免了金属栅线电极的

单硅组件正在取代多晶硅组件，成为主流; 组件越来越多地使用先进的电池架构，例如PERC(钝化发射极后电池)、IBC(交叉背接触)、异质结(HJT)技术及双面电池技术; 大硅片(158毫米及以上)和

因此人们又将视野回归到具有更高效率的N型单晶硅技术上。N型单晶硅电池主要包括N-PERT/N-PERL电池、N-TOPCon电池、叉指状背接触电池(IBC)和异质结电池(HJT)等。其中，TOPCon和

。 4) 丝印烧结：异质结电池生产最后一步是丝印烧结，制备金属电极并烧结固化。HIT是低温工艺，因此需要使用低温银浆和低温退火工艺。HIT电池双面都使用低温银浆，不区分正银和背银
： 氢化本征非晶硅薄膜优良的钝化效果 光生载流子可以贯穿氢化非晶硅薄膜，因此不需要激光开膜制作金属电极和硅片之间的欧姆接触(接触面有大量悬挂键，容易产生复合)。 根据美国国家可再生能源中心公布的