I-V

电流-电压（I-V）和外量子效率（EQE）特性。I-V测量在标准测试条件（STC，25℃，AM1.5G谱和1000W/m2）下进行。结果和讨论表面形貌用原子力显微镜（AFM）观察低铁玻璃上抗反射涂层的

电流特性要求一致，并联支路的电压要求一致，并联支路的电流可以不一致。IEC62446标准这次增加了很多，比如增加了红外摄像测试，汇流箱，I-V曲线测试，湿绝缘测试，方针的遮挡，隔离二极管测试。最后我们

， 2012年）。 日前，该团队和浙江省大型光伏生产企业密切合作，通过针对性的工艺改进，多晶黑硅太阳电池的转换效率已经达到17.88％（156mm*156mm），该技术的应用将为我国光伏企业摆脱目前困境。　　多晶黑硅太阳电池I-V测试曲线（微电子所，2012）

采用3A级脉冲模拟仪测试组件I-V曲线，确定组件完好无损，各选择5块进行试验，电池片经过初始光照的组件采用"Ax"进行编号，电池片未经始光照的组件采用"B-x"进行编号。分别记录组件STC状态下(辐照度
采用同样的封装工艺。生产出的组件经过隐裂探测和I-V曲线的测试，确定完好无损，各选择5块进行紫外老化试验，主材耐紫外功能较强的组件分别采用"C-x"进行编号，主材耐紫外功能较差的组件采用"D-x"进行

增加了红外摄像测试，汇流箱，I-V曲线测试，湿绝缘测试，方针的遮挡，隔离二极管测试。最后我们再讲一下国内标准，但是有一点标准里没有提，就是到底供电区域能接入多少光伏，也就是光伏的接入容量比例是多少?现在

。　　IEC62446标准这次增加了很多，比如增加了红外摄像测试，汇流箱，I-V曲线测试，湿绝缘测试，方针的遮挡，隔离二极管测试。　　最后我们再讲一下国内标准，但是有一点标准里没有提，就是到底供电区域能接入多少光伏，也就

平缓光滑的纳米结构减少表面复合。通过以上两点优化，NREL最终得以制作出效率18.2%的黑硅电池。黑硅电池I-V特性曲线与常规电池对比，实验电池大小仅为0.8081cm2项目首席研究员Howard

索比光伏网讯: 黑硅材料纳米表面结构截面SEM图像 黑硅电池I-V特性曲线与常规电池对比，实验电池大小仅为0.8081cm2在美国能源部国家可再生能源实验室(NREL)的科学家们日前宣布采用采用

太阳电池型号命名方法-2001GBT14009-92太阳电池组件参数测量方法GBT18210-2000晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量GBT18911-2002地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型
GBT 6495.3-1996光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据GBT 6495.4-1996 光伏器件 第4部分：晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正

，采用创新性的最大功率点跟踪技术，能够快速扫描整个I-V曲线，几秒钟就可以跟踪到光伏电池最大功率点，可显著提高太阳能系统能量利用率，转换效率高达97%。在保护性能上考虑得也很全面，不仅具有过充、过放、过载