I-V

强（数据来自于PVSYST）不同的阴影下会带来不同的IV曲线，如冬至日下午15:00分，见图7，其中组串中有部分电池片已经被遮挡，因组件含有旁路二极管，其I-V特性曲线会由原来的单峰变为双峰甚至多峰，从而

调整，其中Rsh(Gref)为STC下测试的值。目前对于Rsh(Gref)的实际测试有太阳能模拟器的I-V测试法（STC）、DarkReverse I-V测试法、External Parallel

FF的情况下得到超过38mA/cm2的短路电流。 图4:全尺寸的硅基异质结电池在标准测试条件下测得的I-V曲线（室内测试）。 经过PECVD与RPD的制程优化，精曜公司目前在六英寸全尺寸

正确判断光伏发电系统输出降低或失效的原因。 　　国外曾经有人报道一些在现场用了10到15年的组件电特性已经恶化。其I-V特性曲线已经和一些普通的光伏组件差别很大，而这种变化的I-V曲线可以用来分析
遮挡电池产生的光电流，与等式（2）中的遮挡透过率有关系，例如，当遮挡透过率为35%时，Iph2是Iph1的0.35倍。通过解（3）-（6）式可以计算出I-V的特性。 　　二、实验 　　图2（a）和

其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。 下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1】，通过对比明显可以看出PID效应
对太阳能电池组件的输出功率影响巨大，是光伏电站发电量的恐怖杀手。 功率对照表 I-V曲线（PID效应测试前）IV曲线(PID效应测试后) 2、为什么会发生PID效应？ 通过

太阳电池组件有指导作用，而且也有利于人们正确判断ink"光伏发电系统输出降低或失效的原因。国外曾经有人报道一些在现场用了10到15年的组件电特性已经恶化。其I-V特性曲线已经和一些普通的光伏组件差别很大
，而这种变化的I-V曲线可以用来分析晶体硅太阳电池组件输出降低的原因。本文主要讨论了遮挡部分电池组件输出特性的影响，并用计算机对核过程进行了模拟。2.0模拟方法在晶体硅太阳电池组件中，当有电池被遮挡时

线（~300nm）也表现出一维输运特征，例如I-V曲线上出现与长度有关的台阶等。而随着纳米线逐渐从300nm减小到100nm，纳米线超导电性逐渐变弱并最终变为绝缘体。有趣的是出现SIT时的纳米线直径远远大于理论期待

10,000多条I-V曲线。这让我们了解到模块在转换效率上的变化与平板型太阳能电池是相似的（见图2）。要注意图中的转换效率是基于所测量的模块在太阳光直接垂直入射下的输出功率，并没有对直接的垂直辐射

，见图7，其中组串中有部分电池片已经被遮挡，因组件含有旁路二极管，其I-V特性曲线会由原来的单峰变为双峰甚至多峰，从而引起IV曲线呈现非线性、多峰值的特性，由于此时光伏阵列受到的光照不均匀，遮挡比例有