HIT太阳电池
半导体材料的不同，分为：硅基薄膜太阳电池、化合物薄膜太阳电池（含Ⅱ-Ⅵ族：碲化镉-CdTe，以及扩展Ⅱ-Ⅵ族：铜铟镓硒-CIGS，铜锌锡琉-CZTS等）、有机和染料敏化太阳电池。薄膜太阳电池原材料成本低
、太阳电池背膜发展现状及新一代背膜技术发展趋势 苏州中来光伏新材科技股份有限公司 林建伟
9、PV market: current situation, roadmap and the role
太阳电池温度系数的探索-----------------------厦门大学 陈 朝
7、 casting UMG multi wafer/cell behavior study-------
索比光伏网讯:近日，中国科学院微电子研究所贾锐研究员带领的高效太阳能电池研究团队成功研制出国内首款异质结背接触原型太阳能电池（2cm2cm）。 异质结背接触(HIT-IBC)电池作为高端高效
异质结背接触原型太阳能电池的研究奠定了良好的基础。 图1：异质结背接触太阳电池的实物照片 图2：异质结背接触太阳电池的截面结构图
太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池(InterdigitatedBackContact,IBC)以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅
N型太阳能电池转换效率的创新之举。IBC步骤多于20。由于更高的成本与复杂性，IBC更容易被半导体行业所接受而非光伏企业。很多光伏企业并无设备、金融资本以及技术专家来采用这项技术。HIT的步骤少于
列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。
第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池
(Interdigitated Back Contact,IBC) 以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅N型太阳能电池转换效率的创新之举。
IBC步骤多于20
的发展前景。a-Si：H/c-Si异质结电池已经成为最有市场前景的太阳电池之一，受到国际上许多国家的广泛关注，目前许多研究机构和企业正在开展a-Si：H/c-Si异质结电池的研究。Sanyo的HIT
证明少子寿命越高，太阳电池的短路电流、开路电压也会越高。因此开展对本征非晶硅薄层钝化后硅片少子寿命的研究是制备高效HIT电池的前提和关键。2实验实验采用PECVD技术，在单晶制绒硅片上双面沉积本征非晶硅
VOC，三洋规模化生产效率可超过20%。2.良好的温度特性。室外使用温度经常会达到70-80度，在同样的高温下，HIT电池比晶硅太阳电池性能衰减更少。3.HIT电池工艺均在200度以下，对于衬底硅材料的
发电系统解决方案。晶澳太阳能在研发方面投入了巨大的资源，同时也取得了显著的成绩。我们致力于背面点接触技术、HIT和IBC等下一代光伏技术的研发，大幅度提高晶体硅晶片太阳能电池的转换效率，并在成本增加不大的情况下
for Photovoltaics Innovation）。光伏创新研究中心的建立，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果产业化
HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。 图三Voc和载流子寿命（us）的关系HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面
HIT构造中的a-Si钝化性能的好坏和HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。图五Voc和载流子寿命(us)的关系
