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制绒：KOH、HCL、H2O2、HF、添加剂等，大宗化学品，非常成熟。添加剂目前还是进口为主，有企业在尝试国产化，进口添加剂成本约8分/片，如果国产化成功，可以降到2分/片。 PECVD：主要
是TMB、B2H6、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。 PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。靶材核心成分是氧化铟

。 UNSW(新南威尔士大学)认为(光致)再生过程的机理在于促使P型硅中存在的H+转化为H0，H0可以钝化BO+缺陷乃至金属离子如Fei+、Cri+，商业化的光致再生设备因需要高生产速率，因此需要利用

抽风异常。 2.2 工艺反应分析 着火点位于粗抛槽以及预清洗槽之间，粗抛槽配方为NAOH+H2O;预清洗槽工艺配方NAOH+H2O2; 化学反应： 2NaOH+Si+H
2O=Na2SiO3+2H2 Na2SiO3+3H2O=H4SiO4+2NaOH H4SiO4=H2SiO3(偏硅酸)+H2O H2SiO3+2NaOH===Na2SiO3+2H

项目涉及静曲强度、内结合强度、吸水厚度膨胀率、甲醛释放量。 (十九)刨花板。抽查了17个省(区、市)91家企业生产的91批次刨花板产品，其中6批次产品不合格，不合格发现率为6.6%。重点对2h吸水厚度
膨胀率、24h吸水厚度膨胀率、静曲强度、内胶合强度、表面胶合强度、甲醛释放量等6个项目进行了检验。不合格项目涉及2h吸水厚度膨胀率、甲醛释放量。 (二十)便器压力冲洗阀。抽查了6个省(市)62家企业

过头的现象使Hfe偏大； （5）表面漏电或可动离子密度过高，会使小电流Hfe偏小。提高小电流Hfe的方法通常是采取通H2合金； 3.电阻呈非线性 电阻呈非线性主要是由于铝引线的接触不良引起的，通常的工艺原因是引线孔刻蚀不净，有残膜（氧化膜或残胶等）。

，被SCI引用总数超过14200，h指数为63。拥有152项中国专利。主持或共同主持了18个国际会议/座谈会，并被任命为50多个国际会议的国际委员会成员。在国际会议上发表了53多次受邀演讲。担任

异质结之间插入一层本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)，有效降低了晶硅/非晶硅异质结表面的复合速率，同时补偿了本征非晶硅层自身存在的悬挂键缺陷，在硅片表面获得了令人满意的钝化效果，以这一结构为基础的
a-Si:H薄膜和P型掺杂a-Si:H薄膜以形成p-n异质结，在硅片背面依次沉积厚度为5-10nm的本征a-Si:H薄膜和N型掺杂a-Si:H薄膜形成背表面场，在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电

平行化、PECVD和PVD的单个承载工艺、在线工艺和通过合理系统设计缩短工艺周期。例如，在INDEPtec的技术里，单个空腔承载允许硅片处在同一个承载上，前表面和背面a-Si:H可以同时进行沉积，即

能源一号找到了一份来自珠海出入境检验检疫局的文献，其专门分析了2009年在美国及墨西哥等地爆发的H1N1流行病毒后且世卫组织将其定义为PHEIC后，各国采取的相关措施。 该文献显示，在
H1N1的流行病毒分析也可以看出，在病毒信息和风险知晓率逐步提高后，口岸的入境防控转变至了社区防控。欧洲各大口岸的公共卫生机构采取的措施非常重视一致性，且及时快速调整以应对快速变化的大流行疫情。简单而言

报道，我们预计全年需求受疫情影响的概率较小;如果有部分国家或地区对于国内组件出口做出限制措施，那么这部分需求总量变化不大，时间结构上可能将部分2020H1需求延至2020H2，地理结构上可能将部分中国企业国内产能供应转至中国企业海外产能供应。