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GaAs
铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)技术，并打造了汉瓦、汉墙、汉路、汉纸、汉包、汉伞等创新产品，创造了移动能源行业，挖掘了广阔的蓝海市场。目前，汉能各主要技术路线的薄膜太阳能芯片转换率保持和打破
，而光电转换率较高的材料如砷化镓(galliumarsenide，GaAs)也通常包含单晶硅薄膜材料。上述材料都因其独特的性能而用于特定的光伏发电领域。这些特性包括：结晶度、带隙大小、吸收性能和加
结电池(28.9%)和单结电池组件(25.1%)两项世界纪录，奠定了其在高效太阳能薄膜电池领域的绝对领先地位。 2018年末，汉能的砷化镓(GaAs)技术再获重大突破。据世界三大再生能源研究机构之一
Devices一年两破GaAs太阳能电池效率纪录，目前最高效率突破29.1%，为化合物太阳电池的发展提供了更多可能。下表为光伏們统计的2018年主要的一些效率纪录，如有遗漏欢迎留言补充。 减法
剥离技术(ELO)太阳能电池薄板转换效率达到37.75%，创下新的太阳能电池效率纪录。 据了解，这款电池不但转换效率创造了15.24厘米(6英寸)GaAs基三结ELO太阳能电池的最高纪录，而且其超过
柔性薄膜太阳能生产线核心装备的自主设计以及制造能力。 目前汉能阿尔塔制备的单结砷化镓GaAs薄膜太阳能组件，经过国际权威机构认证，其光电转换效率达到25.1% 子公司Solibro制造的玻璃基
近日，汉能薄膜发电集团的砷化镓(GaAs)技术再获重大突破。据世界三大再生能源研究机构之一的德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(FraunhoferISE)认证，汉能Alta高端装备集团(以下简称
(GaAs)组件获得美国国家可再生能源实验室(NREL)认证，以单结电池28.8%、双结电池31.6%的转化效率，成为柔性薄膜电池的双料世界冠军。薄膜发电技术具有柔性可弯曲、质量轻、弱光性好、颜色可调
在薄膜太阳能领域保持着四项世界纪录，涵盖了铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)两条主流技术路线，累计申请薄膜太阳能专利已超过5000项。 截至目前，在研发发电墙产品的过程中，汉能就已产出了超过700件专利
技术自2015年以来有很多突破，美国亚利桑那州立大学用分子束外延技术制备出碲化镉单晶薄膜器件少子寿命达到3.6微秒，这个指标比GaAs还高;开路电压高达1.12伏，比传统的0.8~0.9V有明显提高
