Direct
。 槽式光热发电技术采用温度限于400℃的合成导热油(HTF)作为传热介质。因此，槽式光热电站储热温度范围为280-400℃，这比塔式技术储热温度要低。2015年发表于Science Direct
Direct的一项研究表明，来自德国瓦克化学公司(WackerChemieAG)的新型有机硅导热油Helisol，在425℃下可形成低沸点的气态化合物。从经济性角度来测算，硅油的使用可以使LCOE降低5
(direct wafer bounding)工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材;经电浆活化后，外延片表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密
，Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合（direct wafer bounding）工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材；经电浆活化后，外延片表面的次电池（subcell）将呈现
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近年来，美国1366 Technologies公司致力于直接硅片(Direct Wafer)工艺技术的研究。该技术打破了传统硅片制造的技术局限，直接从熔融的硅溶液中生长成硅片。由于只需一道工艺，因此可
Direct Wafer技术已获得多家公司的青睐与投资。今年4月，1366 Technologies宣布获得韩华Q CELLS 700MW直接硅片订单，用以生产韩华高效Q.ANTUM系列PERC电池
29.4%，刷新了该类别的世界纪录。发布称，研究小组在此次成果中，采用了在电子产业广为人知的晶圆直接键合（direct wafer bonding）技术，将Ⅲ-V族半导体材料嵌入硅中2～3m。具体为，激活
德国Fraunhofer太阳能系统研究所（ISE）确认多结太阳能电池转换效率达到30.2%。Fraunhofer ISE与澳大利亚公司EV Group（EVG）合作，采用直接晶圆接合（direct
一举冲高到30.2%。 Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合(direct wafer bounding)工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材;经电浆活化后，外延片
转换效率一举冲高到30.2%。Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合(direct wafer bounding)工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材;经电浆活化后，外延片
作为传热介质（HTF）和储热（TES）介质这对增强光热发电技术的竞争力而言，无疑是锦上添花。Frenell的直接熔盐传储热技术（Direct Molten Salt，简称DMS）是将熔盐同时作为传热
