CdTe

%，化合物型的镉碲(CDTE)类型为3%. 来源:SPV Market Research 图1 2017年太阳能电池板出货比率 2016年多晶硅类市场份额为54%，比单晶高13个百分点，保持

CdTe薄膜扩张产能，7.35GW c-Si太阳能电池扩张产能和6.55GW组件产能。另外还宣布了一个1GW集成电池和组件厂计划。 值得注意的是，First Solar宣布在越南建设第二个(1.2GW
)CdTe组件厂。 First Solar在公司的2017年分析师日活动上表示，公司已经在越南建设了第二个CdTe组件厂以支持向Series 6大型组件过渡。 第二座制造厂毗邻现有工厂，正在为初期

铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅电池。 上图是模拟5-85℃下，同一块晶硅太阳能电池的的电流、电压、功率输出曲线(模拟

(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基
、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。 《条件》还明确，现有光伏制造企业及项目未满足规范条件要求的，根据产业转型升级的要求，在国家产业政策的

》(2018版)：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。 变化七 《光伏制造行业规范条件》(2013版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。 《光伏制造行业规范条件》(2015版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别

、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。 6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权
、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。 (六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%，后续每年不高于0.7%，25年内不高于