CVD
款Applied Producer XP Precision化学气相淀积系统(CVD)则能满足垂直3D NAND结构对淀积的基本要求。全新的CMP和 CVD设备直接解决了3D结构在精密、材料及缺陷方面的挑战，帮助
新开发的中压点火系统（MVI）。MVI专门从多晶硅工厂开发本优化CVD反应器产品。通过和常规CVD反应器加热技术对比，MVI通过点燃薄型帮条的从而缩短加工时间，因此能够提高产品生产能力和缩短操作
成本。。目前所有的CVD反应器被MVI技术改造后在运行。 Centrotherm SiTec GmbH公司拥有硅锭开方和硅片切割系统，因此公司针对铸锭和硅片产品提出了两个关键设备项目。自动硅锭开方系统把
结晶生长。详细步骤如下。首先以普通的化学气相沉积法（CVD）在铜（Cu）箔上形成石墨烯。接着转印到硅基板上。这时，通过蚀刻去除Cu箔。然后，在该硅基板上的石墨烯上，以RF-MBE
为原料的等离子CVD进行成膜时，等离子产生的高硅烷（HOS簇）会进入膜中，引起光劣化。 因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会
多晶硅棒拆装转运流程工艺;采用先进的PolySim3D/1D等分析技术，模拟CVD还原炉流场分布，优化了生产工艺参数、供电方案等。并且，在国内率先研发出大规模电子级多晶硅生产的系列化配套工艺技术体系
效率。 参考文献 王晓泉,汪雷,席珍强,等.PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究.太阳能学报,2004年03期. 毛赣如,原小杰.等离子体增强CVD氮化硅作硅太阳电池的减反射膜.太阳能学报,1988(3):286-290.
系列-板式化学气相沉积/原子层沉积镀膜系统板式空间CVD和ALD技术完美结合高质量单面镀Al2O3钝化膜高产能、低生产成本与黑硅技术相结合，为进一步增强PERC转换效率提供了最佳解决方案WR系列-板式
历史性突破，达到24.2%，去除Solar 1 AR3 和 Solar 2 AR1带来的AD/CVD收入，毛利率为15.9%，相比上一季度13.5%实现了17.8%的涨幅;净利润达到0.382亿美元
。阿特斯高级副总裁兼首席财务官张慧峰博士补充说，本季度在AD/CVD上的收益，和我们阜宁电池厂所遭受的龙卷风灾害赔偿有关。保险赔偿包括从业务中断而获得的利润损失1520万美元，这些被记录为其他业务收入
自动化、湿法刻蚀抛光机、背钝化自动上下料、背钝化、CVD 自动化、激光发射器、印刷(含Halm)、EL、GP和烧结炉等设备。项目新建完成后，年产156mm156mm 单晶硅片104903.9 万片;单晶
、CVD 自动化、激光发射器、印刷(含Halm)、EL、GP和烧结炉等设备。项目新建完成后，年产156mm156mm 单晶硅片104903.9 万片;单晶PERC 技术，同时兼容多晶技术(直接采购
