CIS薄膜
设备，结线/焊接设备，层压设备等薄膜电池版生产设备： 非晶硅电池，铜铟镓二硒电池CIS/CIGS, 镉碲薄膜电池CdTe, 染料敏 电池DSSC
，太阳电缆等光伏原材料： 硅料，硅锭/硅块，硅片，封装玻璃，封装薄膜，其他原料光伏产品： 灯类产品，供电系统，移动充电器，水泵，太阳能家居用品及其他太阳能产品
（Cu）、铟（In）、硒（Se）。经证实，CIS型在薄膜类中光电转换效率较高，并具有长期稳定性。在海外，德国Würth Solar GmbH & Co. KG及美国Global Solar
情况下，原料不使用硅或硅用量较少的太阳能电池今后销售额将获得大幅增长。 该调查显示，不使用硅的CIS型太阳能电池的市场规模2006年度为45亿日元，预计2010年度将迅速扩大至4725亿日元。主要成分为铜
技术开发”等。 此次报告了这些研究开发项目的2006年度的成果。实用化加速技术方面的球状硅太阳能电池和微结晶串联（Tandem）薄膜太阳能电池等，未来技术方面的超薄型硅太阳能电池、有机/色素增感型
太阳能电池以及CIS/化合物太阳能电池等，基础技术方面的技术开发动向调查等受到了与会人员的关注。（记者：河合 基伸）
是NStructures，它打算开发出一种性能堪比硅太阳电池但是成本相对更低的薄膜太阳能电池。问题是它将采用什么活性物质将太阳能转化为电能。
业务开发经理Frank Yang说：“它不是硅类物质，也
职务。
将太阳能材料应用于薄膜或者塑料板上是太阳能业界的主要目标之一。市面上的大多数太阳能电池都是通过硅从阳光中剥离出电子，那些太阳能电池都是安装在相当重的玻璃基板上的。 First
同质p-n结电池结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。 以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主
，曾引起许多研究者的兴趣。目前因效率不高等问题研究者已不多，但SnO2、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。 （5）M1S电池――是肖特基
/5.002.00/3.331.20/2.000.75/1.25
薄膜硅2.00/3.331.20/2.000.75/1.25
CIS 2.00/3.331.20/2.000.75/1.25
改观。?
(1)硒化铜铟(CuInSe\-2,CIS)薄膜太阳能电池.：1974年CIS电池在美国问世，1 993年美国国家可再生能源实验室使它的本征转换效率达16.7%，由于CIS太阳能电池具有
／CulnSe2太阳电池
2.1 CUInSe2薄膜材料的结构特性
Cu1nSe2（CIS）是一种三元Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半导体，具有黄铜矿、闪锌矿两个同素异形的晶体结构，其高温相为
引言
近几年来，光伏市场发展极其迅速，1997年光伏组件的销售量达122Vw，比上年增加38％。世界主要几大公司宣称，近期光伏组件产量将会增加到263.5MW，其中薄膜太阳电池将达到
结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。 以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是
研究者的兴趣。目前因效率不高等问题研究者已不多，但SnO2、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。 （5）M1S电池——是肖特基（MS）电他的
2.9%，2010年年产将达到8—9GWp，占全球80—90%。l 薄膜太阳电池研究及产业化速度加快，CIS：η=19.5%，CdTe=16.5%。2005年占4.8%，2006年达
225MW。预计在目前全球太阳级硅原料紧缺的情况下，各种薄膜电池的总和到2010年有可能到达1~2个GWp，占全球光伏市场的10—20%。q8}HP oF0u其它方面：聚光电池又成新的热点，高倍聚光
，主要包含有硅薄膜类（非晶硅a-Si、微晶硅μc-Si、迭层型a-Si/μc-Si等）与化合物半导体薄膜类（铜铟镓硒CIS/CIGS、镉碲CdTe），而新概念的有机染料类（染料敏化DSC、有机导电
密集领域发展以提升产业竞争力，目前太阳电池是中国太阳光电产业的主力，而下一代太阳电池具备高外销与高技术密集特性，深具成长潜力。另外，IEK ITIS太电中心经理陈麒麟针对硅薄膜太阳电池未来发展进行分析，他指
