CIGS

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通过技术创新降低太阳能光伏成本来源:经济日报 发布时间:2015-02-12 09:16:01

挑战晶硅电池的地位。瑞士材料科技联邦实验室开发出一种新的薄膜太阳能电池,以CIGS(铜铟镓硒)为光电转换材料,用柔软灵活的高分子聚合物作衬底,其光电转化率达到20.4%,已经相当于多晶硅太阳能电池的效率
CIGS太阳能电池可以实现每千瓦时0.05美元,意味着太阳能发电成本与化石燃料发电成本不相上下,明显低于海上风能发电成本,CIGS在太阳能电池中极具成本效益优势。 太阳能发电前景广阔

没读懂汉能的人 都赔得很惨来源:2015年2月3日,胡润研究院发布了“2015年胡润全球富豪 发布时间:2015-02-11 23:59:59

CIGS(铜铟镓硒)产线投产,今年还有1GW(吉瓦)CIGS投产,明年的产能将更多,会陆续投放市场。薄膜行业目前问题是产能的释放需要时间,所以现在汉能不是产品卖不出去,而是没有那么多产品可卖。汉能要改变

豪客CIGS组件通过CIGS、RoHS及碳足迹等三项认证来源:energytrend 发布时间:2015-02-11 11:17:38

索比光伏网讯:上银旗下太阳能CIGS薄膜太阳能厂豪客能源历经几年的研发测试阶段,终于在日前通过太阳能认证权威的台湾德国莱因TV首张CIGS组件认证。相较于不少业者以Turn-key方式进入CIGS
领域,豪客在设备工艺自主率高达40%的情况下成功通过认证。台湾德国莱因见证豪客从不断的调整材料混合比例及测试过程,经过3年以上的努力,终于通过严格考验取得证书,象征其CIGS组件已取得最适化品质。豪客

李河君:三个未知数造就一个首富来源:虎嗅网 发布时间:2015-02-11 10:11:42

,上市公司最大供应商也是自已人,2013年占比达54%。2013年初,汉能订立了一项协议,为客户提供600MW的CIGS整套生产线,其中300MW由汉能收购而来的德国电池制造商Solibro采用共蒸技术制造
重大进展。总之,人类对新能源应用的探索还处于歧路亡羊的阶段:太阳能、风能还是其它可再生能源;太阳能又分光伏还是热利用(皇明热水器属于后者);光伏又有晶硅和薄膜两条路线;薄膜电池则有CIGS、碲化镉

汉能李河君如何制造首富?来源:证券日报 发布时间:2015-02-10 13:01:32

,李河君坚称,薄膜因具有轻柔的特质,相较晶硅产品的应用市场更为广阔;而代表晶硅路线的一方则驳斥,薄膜的性价比无法与晶硅媲美,晶硅才是光伏王道。 CIGS产业化条件愈发成熟 胡润全球富豪榜给予

李河君身价超马云、王健林 “薄膜发电”如何制造首富?来源:证券日报 发布时间:2015-02-10 09:13:19

轻柔的特质,相较晶硅产品的应用市场更为广阔;而代表晶硅路线的一方则驳斥,薄膜的性价比无法与晶硅媲美,晶硅才是光伏王道。CIGS产业化条件愈发成熟胡润全球富豪榜给予李河君的上榜理由是,截止到2015年1
?又或者它会不会只是一个梦?对此,南开大学孙云教授在接受记者采访时以铜铟镓硒(CIGS,一种薄膜技术)为例介绍,从技术成熟度和生产成本上看,CIGS的产业化前景十分明朗,且其很多优势(轻柔等)是晶硅所

新首富李河君单挑王传福:薄膜发电挺进汽车业来源:21世纪经济报道 发布时间:2015-02-10 08:35:02

也不得不错峰用电。一个中型汽车工厂每年用电量达上亿度,如果折算成火力发电的排放,车厂用电导致二氧化碳排放是巨大的。 2013年,汉能收购了美国的MiaSole公司,这家公司的铜铟镓硒(CIGS

光伏组件效率太低可能拿不到国家补贴来源:王淑娟 发布时间:2015-02-09 08:20:47

光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。 (五)新建和改扩建
%; 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。 (六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%,25

李河君:薄膜太阳能发电蓝图来源:经济观察报 发布时间:2015-02-07 23:59:59

源公司(Global Solar Energy),它们的共同特点是拥有薄膜领域最为热门的铜铟镓硒技术(CIGS),此外还有专注于高效砷化镓(GaAs)柔性薄膜发电技术的美国阿尔塔设备公司(Alta

国能综新能[2015]51号文件解读:光伏组件效率太低可能拿不到国家补贴来源: 发布时间:2015-02-06 23:59:59

、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换
效率分别不低于18%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13