CIGS（铜铟镓硒

单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉
%; 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效 率分别不低于 12%、12%、13%、12%。 3 (六)多晶硅电池组件和

%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%，25 年内不高于20

硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶
别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效 率分别不低于 12%、12%、13%、12%。4 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率

多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其
效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13

;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe
光电转换效率分别不低于18%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

索比光伏网讯:汉能控股(HanergyHolding)正在将Solibro的铜铟镓硒(CIGS)薄膜技术的知识产权(IP)转移到子公司Apollo昆明公司。一家瑞典CIGS太阳能技术研发公司
于更先进的薄膜技术，包括纳米晶体硅和CIGS。中国国务院的行业规定是主要动力，其正在推动光伏制造商满足新建光伏组件制造设备的最低转换效率值，多晶硅为18%，单晶硅为20%，薄膜技术为12%。Solibro知识产权交易价值达2.8亿元人民币(4570万美元)

；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe
光电转换效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内

，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。此外，《条件》还对项目资源

如此，据记者了解，目前晶硅业界，能够实现20%以上光电转换率的企业屈指可数。而2012年9月，汉能集团曾公开宣布，在其成功收购德国Q-CELLS子公司、铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池制造商Solibro
后，铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池将具有全球最高的模组转换效率，可达17.4%。 而今，通过三次技术并购(Solibro，到MiaSol ，再到Global Solar Energy)，汉能