CIGS组件

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美国光伏巨头抢占中国市场,国内企业如何积极应对来源:世纪新能源网 发布时间:2015-06-15 23:59:59

多年的全球技术整合和自主创新,其CIGS薄膜光伏组件量产转化率已达15.5%,研发转化率最高达21%,其掌握的砷化镓技术实验室转化率更是高达30.8%,达到国际领先水平。业内人士表示,中国光伏
企业已经处于下风。最新的消息显示,First Solar所代表的薄膜技术在至关重要的转换效率上已经超过了国内晶硅企业。First Solar将大规模生产转换效率为16.3%的光伏组件,而目前国内光伏组件

光伏入市“门槛”抬高 推广难题待解来源:中国经济时报 发布时间:2015-06-12 10:26:17

%和16%;高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。 而领跑者先进技术产品的

光伏入市“门槛”抬高了 推广难题怎么解决?来源: 发布时间:2015-06-12 09:07:59

聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。而领跑者先进技术产品的标准则更为严格:多晶硅电池组件

光伏入市“门槛”抬高 推广依然任重道远来源:中金在线 发布时间:2015-06-12 08:20:10

15.5%和16%;高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。 而领跑者
最高的产品、企业或单位。 《意见》规定,光伏发电项目新采购的光伏组件应满足《光伏制造行业规范条件》(2015年)相关产品技术指标要求。其中,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于

提高光伏产品市场准入标准 “领跑者”计划引导光伏技术进步和产业升级来源:中金在线 发布时间:2015-06-11 23:59:59

光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。而领跑者先进技术产品的标准则更为严格:多晶硅电池组件
。《意见》规定,光伏发电项目新采购的光伏组件应满足《光伏制造行业规范条件》(2015年)相关产品技术指标要求。其中,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%;高倍聚光光伏组件

分布式光伏补贴力度加大 薄膜太阳能市场前景广阔来源:世纪新能源网 发布时间:2015-06-11 23:59:59

占据太阳能发电市场的40%以上,届时薄膜和晶体硅的市场规模将达到伯仲之间。如今,我国薄膜太阳能技术已经达到国际领先水平,其中汉能薄膜发电(00566.HK)的铜铟镓硒(CIGS组件最高转化率已达21%。据
技术路线。薄膜太阳能组件因具有温度系数低、弱光发电性好等特点,同时具备能耗低、无污染、柔性可弯曲、光照角度要求低等优势,最适合分布式光伏发电的技术需求,可广泛应用于医院、商场、学校、停车场等建筑物屋顶。国家

光伏“领跑者”计划明确标准:技术最靠谱来源: 发布时间:2015-06-11 15:22:59

Solar Energy公司以及美国阿尔塔设备公司(Alta Devices)。目前,其薄膜发电技术已达到国际领先水平。汉能的铜铟镓硒(CIGS组件经德国弗劳恩霍夫太阳能系统
每年安排专门的市场规模实施该计划,要求项目采用先进技术产品。《意见》指出,2015年,领跑者先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍

光伏领跑者计划发布利好 龙头股进入配置窗口期来源:汉能薄膜发电 发布时间:2015-06-11 09:48:51

16.5%和17%以上,高倍聚光光伏组件达到30%以上,硅基、CIGS(铜铟镓硒)、CdTe(碲化镉)及其他薄膜电池组件转化率分别达到12%、13%、13%和12%以上。这给技术领先的龙头企业发展提供一个

光伏“领跑者”计划明确标准:拿技术说话来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2015-06-10 10:50:10

Global Solar Energy公司以及美国阿尔塔设备公司(Alta Devices)。目前,其薄膜发电技术已达到国际领先水平。汉能的铜铟镓硒(CIGS组件经德国弗劳恩霍夫太阳能系统
,国家能源局将每年安排专门的市场规模实施该计划,要求项目采用先进技术产品。《意见》指出,2015年,领跑者先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和

国家建立光伏产品准入标准循环递进机制来源:中电新闻网 发布时间:2015-06-09 11:31:46

光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率