CIGS组件

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美国PacWest拟将CIGS光伏生产线移至巴西来源:Solarzoom 发布时间:2013-09-23 12:36:10

质两个类型的光伏产品,并强调通过使用收购的技术,公司有能力在玻璃上制作出透明的铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏组件
。 PacWest计划将DayStar的CIGS光伏设备移至巴西 2013年3月,PacWest于今年3月从加拿大DayStar

日本上半年光伏规模达3.38GW 成全球第二大市场来源: 发布时间:2013-09-22 10:05:11

,光伏组件出货总额925MW,首次超出在本土出售的规模。但日本光伏组件市场需求环比下降5%至1.65GW。第二季度,日本薄膜光伏市场规模环比下降39%,至182MW,远低于去年同期的巅峰数值299MW。由于
日本99%的薄膜光伏产品均由本土制造,二季度薄膜光伏规模的下跌也从侧面展示出CIGS光伏制造商Solar Frontier KK的多变命运。二季度另一个变化在于几近空白的出口额,仅为10MW,其中

汉能附属购母公司薄膜太阳能技术来源: 发布时间:2013-09-22 08:48:59

和制造CIGS薄膜太阳能组件的技术和非技术信息、33项注签专利、125项注签专利申请、就注签专利申请可能发出之专利、在生效日期或之后就任何上述各项可能重新发出的专利,以及该等知识产权任何其后的发展和
据报道,汉能太阳能9月18日公布,旗下附属同意向汉能控股收购MiaSol之CIGS薄膜太阳能技术之全部知识产权,作价为3.5亿元人民币(约4.45亿港元)。该公司表示,获转让知识产权包括任何有关开发

日本2013年Q2光伏组件出口额首超国内供应来源:Solarzoom 发布时间:2013-09-20 22:21:30

据日本光伏能源协会(JPEA)最新数据显示,2013年第二季度,日本光伏组件市场需求环比下降5%,至1.65GW。 报告称,第二季度,日本光伏市场规模较去年同期高出两倍之多。此外,光伏组件
告透露,第二季度,日本薄膜光伏市场规模环比下降39%,至182MW,远低于去年同期的巅峰数值299MW。由于日本99%的薄膜光伏产品均由本土制造,二季度薄膜光伏规模的下跌也从侧面展示出CIGS

日本上半年光伏规模达3.38GW 成为全球第二大市场来源:集邦新能源网 发布时间:2013-09-20 22:17:47

据最新资料显示,2013年前六个月,日本光伏市场规模3.38GW,超越德国与美国成为全球第二大光伏市场,仅次于中国。 2013年二季度,日本光伏市场规模较去年同期高出两倍之多。此外,光伏组件
出货总额925MW,首次超出在本土出售的规模。但日本光伏组件市场需求环比下降5%至1.65GW。 第二季度,日本薄膜光伏市场规模环比下降39%,至182MW,远低于去年同期的巅峰数值299MW

汉能太阳能3.5亿人币购母企薄膜太阳能技术来源:阿思达克财经网 发布时间:2013-09-20 21:08:34

不同的CIGS薄膜太阳能技术,包括CIGS柔性薄膜技术,对集团而言至关重要,集团可透过收购,利用MiaSole的技术开发新一代高效能CIGS柔性薄膜组件以迎合市场需求。对CIGS技术的正面评价、以及政府透过上网电价和补贴等利好政策作为强烈支持,集团已准备好随时把握快速增长的柔性薄膜太阳能市场。

工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于

20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉

光伏制造行业规范条件来源:工业和信息化部 发布时间:2013-09-16 23:59:59

%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足
CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%,25 年内不高于20

工信部《光伏制造行业规范条件》来源: 发布时间:2013-09-16 16:45:34

硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 (五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶
别不低于 16.5%和 17.5%; 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效 率分别不低于 12%、12%、13%、12%。4 (六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率