CIGS电池

《光伏制造行业规范条件》企业名单内。2.申请进入《北京市延庆区分布式光伏发电项目备选产品名录》的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%；硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉

/CIGS多结太阳能电池组件的转换效率预计在未来几年将超过25%。此项技术完美结合了两项十分先进的薄膜技术优势，将来为客户提供更具成本效益的太阳能电力。随着能源绿色转型推进，发展太阳能等清洁能源将成
为大势所趋。我国科学家此前研发了创世界纪录大面积的高效率钙钛矿太阳能电池，近日我国首个CIGS薄膜太阳能产业技术创新战略联盟成立，旨在推动我国薄膜太阳能产业发展。随着清洁能源的推广，薄膜太阳能将有广阔的

2016 年 9 月 26 日－来自 imec、卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）以及德国巴登符腾堡州太阳能暨氢能研究中心（ZSW）的科学家们在今天宣布，他们已制造出由钙钛矿与硒化铜铟镓（CIGS）所组成
设备的概念：顶端的钙钛矿模组使用了七个长条形模组电池，底部的硒化铜铟镓模组使用了四个长条形模组电池，两者皆具有整体式互连配置。我们所获得的结果是，这两项技术的面积减损皆降至小于百分之八。在这三个组织合作

装置的概念：钙钛矿顶部组件和CIGS底部组件都配有整体式互连方案。两项技术结合面积损失减少不足8%。此高效钙钛矿/CIGS多结太阳能电池组件的研发制作过程依赖于太阳光谱的有效利用。imec和ZSW电力

组件光电转换效率不低于28%;（三）硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;（四）多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别

%，之后每年衰减率不高于0.5%，项目全生命周期内衰减不高于10%。（四）硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；自项目投产运行
质量技术标准：（一）第一年系统效率（PR）不低于81%，即年上网发电利用小时与组件同平面年累计全辐射照值的比值不小于0.81。（二）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别高于16%和16.5

之日起，一年内衰减不高于2%，之后每年衰减率不高于0.5%，项目全生命周期内衰减不高于10%。（四）硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11
。第十二条 光伏扶贫项目应达到以下质量技术标准：（一）第一年系统效率（PR）不低于81%，即年上网发电利用小时与组件同平面年累计全辐射照值的比值不小于0.81。（二）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的

组件光电转换效率不低于28%; (三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%; (四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起

效率不低于28%；（三）硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；（四）多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5