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巨人肩上看世界,SMA 为光伏企业构建出海新通道来源:集邦新能源网 发布时间:2019-06-25 13:21:32

38 年的 SMA Solar Technology AG 是全球光伏逆变器市场的领跑者,在能源变革的趋势和市场变化下,以专注于核心竞争力,优化企业管理架构,降低固定成本等方式,提前布局能源管理

PERC带火的SE有哪些实现方式?来源:摩尔光伏 发布时间:2019-06-24 09:53:25

参数之一。 适当提高方块电阻可提高开路电压和短路电流,但是在丝网印刷方式下,Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大,最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。 为了兼顾开路电压、短路电流
plating)在这些重掺区上电镀Ni/Cu/Ag金属层作为前电极。 由于采取电镀的方式,栅线宽度可减少至约30m,与硅片接触宽度约20m。 该电池的优势在于非常小的有效遮挡面积(小于5%)和线间

因能与爱士惟战略合作 共推升级版“金管家”服务来源:索比光伏网 发布时间:2019-06-05 14:29:03

Solar Technology AG(简称:德国SMA集团),后从SMA集团独立后更名为爱士惟。爱士惟总裁张勇博士在签约仪式现场致辞中表示,此次爱士惟和因能的合作,深化了产品、供应链和售后服务体系,并

浙江奔一电气拜访德国SMA来源:奔一电气 发布时间:2019-05-27 11:42:06

市场竞争力的直流电气解决方案。 SMA德国卡塞尔市总部 「关于SMA」 SMA Solar Technology AG艾思玛太阳能技术股份公司,成立于1981年,是全球领先的专业

如何在低温下制备:基于CuPc的反式钙钛矿太阳能电池来源:华中科技大学 发布时间:2019-05-27 09:53:07

/钙钛矿/PCBM/BCP/Ag 结构的电池上获得了基于刚性基底最高 15.37%的光电转换 效率和基于柔性基底最高12.66%的光电转换效率. 1 实验 1.1 实验材料 实验中采用的氧化铟锡
(Ag)购于西安宝莱特光电科技有限公司. 1.2 电池制备 首先将ITO导电基底分别用洗洁精、丙酮、无水乙醇、去离子水在超声清洗机中各超声15min,之后用干净的氮气流干燥。干燥之后,基底用紫外

太阳能电池“喝”了咖啡会更厉害?一文深度研究来源:盖世汽车网、阳光工匠光伏网 发布时间:2019-05-27 08:49:21

咖啡因用作活性层,掺杂有TPFB的PTAA用作空穴传输层(HTL),银(Ag)用作阴极,器件性能及TPC/TPV分析如下: 表1、含有不同质量分数咖啡因MAPbI3钙钛矿器件的性能。 图3
。 图5、(A-F)老化的纯PVSK器件(A)Ag,(B)I和(C)Pb以及老化的含咖啡因的PVSK器件(D)Ag,(E)I和(F)Pb的能量色散X射线光谱(EDX)映射;(G-H)老化的纯

齐鲁光伏大商齐聚泉城,共话光伏新未来来源:爱士惟技术 发布时间:2019-05-24 08:50:42

全球知名的太阳能逆变器研发和制造企业SMA Solar Technology AG(简称:SMA 集团),是专业从事光伏逆变器研发和制造的企业集团。爱士惟与SMA集团之间,由此前的统属关系转变成深度

光伏寡头时代将临,平价上网剩者为王来源:能源100 发布时间:2019-05-21 09:19:47

物竞天择,适者生存。由政策调整和技术创新引发的光伏业大洗牌仍在持续。 行业阵痛犹在 时间向前推溯到2017年5月10日,德国光伏制造巨头SolarWorld AG发布官网声明,宣布申请破产
程序。 对于德国SolarWorld AG、Suniva Inc.,光伏人都不陌生,前者是对华光伏双反的发起者之一,后者在申请破产保护后,向美国国际贸易委员会(ITC)申请启动201 调查,可谓是

光伏寡头时代将临 平价上网剩者为王!来源:能源100 发布时间:2019-05-21 08:40:46

2017年5月10日,德国光伏制造巨头SolarWorld AG发布官网声明,宣布申请破产程序。 对于德国SolarWorld AG、Suniva Inc.,光伏人都不陌生,前者是对华光伏双反的
发起者之一,后者在申请破产保护后,向美国国际贸易委员会(ITC)申请启动201 调查,可谓是死了也要拉一堆垫背的。 事实上,纵观全球光伏发展史,倒下的巨头不止有SolarWorld AG、Suniva

PERC、IBC、SHJ、TOPCon、HBC等高效光伏电池简史来源:材料导报、摩尔光伏 发布时间:2019-05-13 10:41:30

生长TCO,具有光学透明与导电双重功能。此外,他们还在Ag电极上电镀Cu,降低了成本且提高了导电性,从而进一步优化了SHJ太阳电池的性能,其效率达到25.1%。 近年来我国在SHJ电池上已取得长足的
n+掺杂的多晶硅,接着通过进行高温(70~900℃)退火和氢钝化改善硅薄膜的形貌与带隙,最后正、反金属化采用电子束蒸发的Ti/Pd/Ag叠层和热蒸发的Ag实现,最终效率达到25.1%(Voc=718mV