(CdTe)
薄膜型太阳能电池出现导致的成本下降，已经在欧美地区逐渐发酵。成为台风眼的是制造薄膜型太阳能电池的一种、锑化镉(CdTe)太阳电池的美国厂商“First Solar”。由于锑化镉太阳能电池制程简单，该公司
厂商，2007年的产量为277MW，加上已公布的生产计划，到2009年产能将达到910MW，2012年进一步增至3GW（60亿美元）。此外，Markus还介绍了CdS/CdTe型太阳能电池的技术优势。其中
；5．薄膜电池版生产设备：非晶硅电池，铜铟镓二硒电池CIS/CIGS, 镉碲薄膜电池CdTe, 染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备； ★ 光伏电池：光伏电池生产商，电池组件生产商，电池组件
设备，结线/焊接设备，层压设备等薄膜电池版生产设备： 非晶硅电池，铜铟镓二硒电池CIS/CIGS, 镉碲薄膜电池CdTe, 染料敏 电池DSSC
）太阳电池、铜铟（镓）硒（CuInGaSe2）太阳电池和碲化镉(CdTe)太阳电池。经过数年的努力，其效率达到15～20%（ AM0）。 另一方面，为展开柔性薄膜太阳电池的研制（展开式、折叠式、套桶式、卷廉
、CuInSe2 及其合金、以及CdTe三种材料的薄膜太阳电池。 聚光太阳电池 一般认为，现代聚光PV开始于1970年代末悉尼国家实验室，采用了点聚焦非涅耳透镜硅电池双轴跟踪结构，随后并研制了几个原型
入射方向、激光模式、刻划速度和Q开关调制频率是决定刻痕形貌的主要参量。从玻璃面入射比从薄膜面入射更容易得到高质量的刻痕。图5是分别用1064nm激光和532nm的激光刻划CdS/CdTe薄膜后，用探针式
。
图5 CdTe薄膜激光刻划刻痕形貌
2． 碲化镉薄膜的表面腐蚀技术 刚沉积的碲化镉薄膜载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380
结构为玻璃/SnO2：F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni，碲化镉薄膜的厚度为5微米，转换效率为7%，1MW碲化镉薄膜太阳能电池所消耗的材料的成本如下表所示
相同，硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键。不同的是，需要在电池的制备过程中对在特定的工艺环节分别对透明导电薄膜、CdS/CdTe半导体层、金属背电极进行刻划，实现
太阳电池的工艺路线，而采用直接由原材料到太阳电他的工艺路线，即发展薄膜太阳电他的技术。 20世纪70年代开始，发展了许多制作薄膜太阳电他的新材料、CulnSe2、CdTe薄膜，晶体硅薄膜和有机半导体
同质p-n结电池结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。 以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主
聚光器(光电池)17202530
非晶硅(包括叠层电池)5～67～91014
CuInSe\-2-8～101214
CdTe-8～101214
低成本基片硅薄膜-8～101215
CdTe 1.50/2.501.20/2.000.75/1.25?
表5太阳能电池成本与市场的关系
太阳能电池成本?(美元/峰瓦)可进入的市场
＞6少量应用2～5通信、边远地区
