(CdTe)
非晶硅薄膜技术，预计到2010年，非晶硅薄膜将占薄膜太阳能电池产量的一半，其产量在未来薄膜太阳能电池中更将使占据主要份额。同时，碲化镉（CdTe）薄膜电池，作为2007年产量最大的太阳能电池，在被非晶硅薄膜
能达到10亿瓦(1GWp)，日前宣布将在美国俄亥俄州再扩充碲化镉(CdTe)薄膜太阳能产能。专家预计，在新产能陆续开出情况下，2009年各类薄膜太阳能厂于太阳能发电厂战况将精彩可期
CdTe（碲化镉）型太阳能电池的生产。因此，2012年CdTe型的构成比例将占4.4％。但色素增感型仍将不足1％。上述数据参照了法国调查公司Yole Developpement就560家工厂所做调查的
虽不及亚洲和欧洲，但各类型的构成比例很有特点。美洲的结晶硅型产能所占比例较低，但a-Si型、CIGS型和CdTe型的比例都很高。 (编辑:xiaoyao)
可以增至7%。 CdTe（碲化镉）型太阳能电池 欧洲和亚洲厂商将涉足此前主要是美国厂商从事的CdTe（碲化镉）型太阳能电池的生产。因此，2012年CdTe型的构成比例将
厂商将涉足此前主要是美国厂商从事的CdTe（碲化镉）型太阳能电池的生产。因此，2012年CdTe型的构成比例将占4.4％。但色素增感型仍将不足1％。上述数据参照了法国调查公司Yole
高，约为90％。美洲产能虽不及亚洲和欧洲，但各类型的构成比例很有特点。美洲的结晶硅型产能所占比例较低，但a-Si型、CIGS型和CdTe型的比例都很高。
（五）中德产能已经超过日本，09年
，The Information Network预期薄膜领域(含 amorphous silicon、 CdTe与CIGS)，将占有2009年度市场的17.8%与2010年度的20.2%。该公司指出，薄膜板
Network举这个领域的业者First Solar为例，该公司生产的CdTe电池平均每瓦为2.45美元；Applied Materials供应的amorphous silicon panels薄膜
(amorphous silicon)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒化镓(CIGS)等薄膜太阳能技术，将在09年在整体太阳能市场取得17.8的占有率，并在2010年将该比例进一步扩大至2010
(amorphous silicon)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒化镓(CIGS)等薄膜太阳能技术，将在09年在整体太阳能市场取得17.8的占有率，并在2010年将该比例进一步扩大至2010
投入。 目前已经获悉的信息包括：全球光伏电池龙头Q-Cells全线推进现有商业化薄膜电池技术，a-Si、CdTe及CIGS均有投入；日本大厂Sharp凭借其在液晶领域的技术优势，着重
。 相比之下，薄膜电池则在成本上具备相当的竞争力，原材料来源广泛、供应充足，对于下游厂商极具吸引力。近年来以CdTe（碲化镉）为主的薄膜电池增长迅速。资料显示，以美国公司FirstSolar为主
基板尺吋为1.0mX1.4m。
二、碲化镉太阳能电池领导厂商发展概况
不同于其它薄膜技术竞争者众的局面，CdTe薄膜太阳能电池的供给为单一厂商美国FirstSolar独大，原先对于镉毒性的忧虑限制了
CdTe技术投入者的意愿，现在由于FirstSolar的成功经验与股价高涨，使得CdTe技术的潜力也开始受到重新检视与关注。目前CdTe技术皆为为使用玻璃基板的硬式产品，尚未有制成可挠式的商品问世
