黑硅PERC电池
是协鑫集成不断科研突破的成果，协鑫集成上市以来尤其注重科技研发，2015年先后开发并量产 1500V 和P6/96 特大组件、双玻组件、金刚双片 组件等新产品。另外黑硅电池组件、PERC电池
金刚高效组件后，结合已投产的高效组件生产研发经验与行业时下前沿电池技术倾心打造的鑫金刚系列升级力作。
协鑫集成副总裁黄强博士在推介会现场表示，超级金刚高效组件面积和安装尺寸都近似于常规72片电池
。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件、半片组件、超大组件及双玻组件大规模推广。 另一方面，协鑫集成不断布局海外销售市场，重点布局日本、印度、美国、澳洲等新兴市场，把握发展机遇，合作推进
市场的多晶产品构成了压力，多晶技术急需取得新的突破。除了黑硅技术和金刚线切片工艺，多晶技术还可以继续加大铸锭尺寸和硅片尺寸，并研究PERC电池技术的应用。如今，已有企业应用了多晶黑硅片和PERC技术
黑硅技术为例，从批量实验片数据来看，电池效率可提升0.2%以上。而等离子刻蚀技术则可以提升0.5%以上。金善明进一步指出，将黑硅绒面的多晶硅片集成PERC技术后，可实现1+12的效果，带来更大的电池性能增益。
技术还可以继续加大铸锭尺寸和硅片尺寸，并研究PERC电池技术的应用。如今，已有企业应用了多晶黑硅片和PERC技术，量产后可以达到20.5%的转换效率，说明这一技术具备很大的应用前景。在铸锭炉升级方面
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。
除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。
随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低
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除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面
PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
，黑硅技术的优势还在于不与现有的电池技术冲突，可以和PERC等电池技术叠加使用。汪晨表示，保利协鑫将继续开拓以多晶为主导的硅片市场，通过多种技术方案为多晶电池带来更大的增益。未来会视市场需求陆续扩大单晶
技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫
热门研发方向。一直以来，降低表面反射率是电池厂商提高多晶产品效率的关键。而黑硅技术被视为解决多晶反射率高的有效方案，其既能提升电池效率又能降低电池成本。不仅如此，黑硅技术的优势还在于不与现有的电池
