高聚光

的强势竞争力，就必须拥有一定的产品消化能力——随着财政部和住房城乡建设部发布《关于加快推进太阳能光电建筑应用的实施意见》，四川方面尽快拿出配套方案的呼声渐高。 　　事实上，省内太阳能电站建设进程已经
启动。经国家科技部批准，我省获得了国家863计划先进能源技术重点科技攻关项目——“高倍兆瓦级聚光型(CPV)并网电站及关键设备研制”。该项目将探索聚光光伏(CPV)发电技术从实验室走向产业化的进程。省

由台湾億光电子转投资的億芳能源公司宣布，该公司已于24日标得行政院原子能委员会核能研究所之200kW高聚光型太阳能模块标案，预计于3个半月内完成。此标案属于政院原子能委员会核能研究所位于高雄科学园区
半导体于太阳能上的应用与市场潜力，藉以本身封装技术与晶电Ⅲ-Ⅴ族LED与太阳能电池磊晶垂直整合，再由億芳能源生产高聚光型太阳能 (HCPV-High Concentration

由台湾億光电子转投资的億芳能源公司宣布，该公司已于24日标得行政院原子能委员会核能研究所之200kW高聚光型太阳能模块标案，预计于3个半月内完成。此标案属于政院原子能委员会核能研究所位于高雄科学园区
Ⅲ-Ⅴ族半导体于太阳能上的应用与市场潜力，藉以本身封装技术与晶电Ⅲ-Ⅴ族LED与太阳能电池磊晶垂直整合，再由億芳能源生产高聚光型太阳能 (HCPV-High Concentration

索比光伏网讯:由台湾?光电子转投资的?芳能源公司宣布，该公司已于24日标得行政院原子能委员会核能研究所之200kW高聚光型太阳能模块标案，预计于3个半月内完成。此标案属于政院原子能委员会核能研究所
，无疑是看好Ⅲ-Ⅴ族半导体于太阳能上的应用与市场潜力，藉以本身封装技术与晶电Ⅲ-Ⅴ族LED与太阳能电池磊晶垂直整合，再由?芳能源生产高聚光型太阳能 (HCPV-High Concentration

尚越科技推出Power substrate散热基板技术，适用高功率LED照明与聚光型太阳能板等应用，大幅降低整体温度，确保系统长时间稳定运作。当前该散热技术已可量产，获得太阳能板业者采用，正进行测试
）材料，提供散热系数K值高达200效益。 此外，两层铜片可互为散热、线路设计应用，线路可用蚀刻方式制作，兼具PCB板作业与高散热优势，当前Power substrate已获取台湾、大陆等国家专利

太阳能电池、高聚光砷化镓太阳能电池，建立硅片切割、太阳能电池较大规模生产能力。同时，还将发展太阳能电池发电的配套产品，使太阳能发电设备、系统产业化。 据了解，为培育LED和PV产业百亿元产业集群，我市

光伏发电新的成本降低技术路径。CPV通过聚光的方式把一定面积上的光通过聚光系统会聚在一个狭小的区域(焦斑)，太阳能电池仅需焦斑面积的大小即可，从而大幅减少了太阳能电池的用量。同样条件下，倍率越高
，所需太阳能电池面积越小。 系统转换效率高。高倍率CPV采用GaAs等三五族化合物电池，目前三接面三五族化合物电池产业化应用的转换效率已经达到39％，CPV系统转换效率达到28％，较硅基太阳能电池和

聚光光伏设备既有高功率的硅电池，也有多倍太阳能电池，但与硅电池相比，由III-V半导体材料组成的电池至今尚未达到同等的市场成熟度以及工业生产标准。该研究对多倍太阳能电池商业化提出了如下目标：电池将达到45
英国伦敦FirstConferences公司今日聚光光伏部于2009年3月30日发表一项关于聚光光伏商业化面临的技术瓶颈的报告。该报告的结论为，至2015年由III-V半导体材料(GaInP

了电池中运用的材料。目前的聚光光伏设备既有高功率的硅电池，也多倍太阳能电池，但与硅电池相比，由III-V半导体材料组成的电池至今尚未达到同等的市场成熟度以及工业生产标准。该研究对多倍太阳能电池商业化
　　英国伦敦First Conferences公司“今日聚光光伏”部于2009年3月30日发表一项关于聚光光伏商业化面临的技术瓶颈的报告。该报告的结论为，至2015年由III-V半导体材料

的材料。目前的聚光光伏设备既有高功率的硅电池，也多倍太阳能电池，但与硅电池相比，由III-V半导体材料组成的电池至今尚未达到同等的市场成熟度以及工业生产标准。该研究对多倍太阳能电池商业化提出了如下目标
英国伦敦First Conferences公司“今日聚光光伏”部于2009年3月30日发表一项关于聚光光伏商业化面临的技术瓶颈的报告。该报告的结论为，至2015年由III-V半导体材料(GaInP