高效硅异质结

和原材料）的改进。在原材料方面， 多晶硅料是光伏行业的核心原料。我国已经基本掌握了西门子法，以协鑫光伏为代表的多晶硅企业率先掌握了冷氢化工艺技术，在大规模合成、高效提纯、低电耗还原、四氯化硅氢化等

，而是与电压有关。对于0.5-m厚CdTe太阳能电池，推导出的二极管质量因子值3.87仅仅是多晶硅微结构建立不完善和CdS/CdTe异质结泄漏严重的表征。5-m厚CdTe太阳能电池的二极管质量因子值
示于图1。可以看到，对于5m厚CdTe太阳能电池来说，吸收层由直径1-3m的密集堆积的CdTe晶粒组成。CdTe结晶质量高以及形成的CdTe/CdS异质结好使得能量转换效率高达13.2%，如图2

索比光伏网讯:弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(FraunhoferISE)日前证实日本Kaneka株式会社与Imec联合研制的6寸异质结硅基太阳能电池的效率达到22.68%。该电池正面采用透明氧化层
，并在之上电镀铜网格电极，并以此取代传统的银浆网印工艺，公司称这一技术可以在提高效率的同时降低生产成本。该太阳能电池由Kaneka位于大阪的实验室开发，所使用的电镀技术改进自Imec的铜电镀技术。双方曾在

途径是用宽带隙的a-Si：H作为窗口层或发射层，单晶硅、多晶硅作衬底，形成所谓的异质结太阳电池。这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有实现高效、低成本太阳电池

，第二代光伏发电技术固有缺点，人们相继提出发展第三代光伏发电技术许多设想。 在中国发展的第三代光伏发电技术=太阳能炼硅+跟踪+低倍聚光+高效聚光硅电池。 这首先是因为新提出的理念，是要进一步提高

（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率15％，AMI时＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。（4）异质结太阳电池即不同半导体材料在一起形成的太阳电池J瞩SnO／Si，In20
索比光伏网讯:晶硅太阳能电池在70年代初引入地面应用，在石油危机和降低成本的推动下，太阳能电池开始了一个蓬勃发展时期，这个时期不但出现了许多新型电池，而且引入许多新技术。例如：（1）背表面电场

温度依存性越小。也就是说，HIT太阳能光伏电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发（即高Voc化）带来了温度特性的提高。由于新电池在温度上升时发电量的损失降低，预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。　　图四HIT太阳能光伏电池温度系数的Voc依存性

索比光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而
HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。HIT太阳能光伏电池优异的温度特性

。光伏电池生产主要集中在中国、日本、德国、美国等国家，德国、西班牙等国为主要应用市场。晶体硅太阳电池市场份额超过85%，其商业化最高效率已经达到22%，技术向着高效率和薄片化发展，未来10-20年内仍将

设置p-n接合界面。从而，不是二元的平面接合，在薄膜内部构建微细的相分离，因此，藉增大接合界面面积的整块异质结结构，可大幅度提高效率。空穴与电子一旦生成，空穴在共轭高分子的分子间，电子在电子受体分子的分子
课题。而且，考虑面向民生的太阳能电池及对应非晶硅太阳能电池的现状，旨在使太阳能电池低成本化的技术难点也多。有机薄膜太阳能电池的研制，应力求向低成本、高效率化发展。充分有效利用资源、减少制造生产中导致的环境负荷，不断提供新的附加价值，使OTFSC从简单的供电器件迅速发展成下一代理想的太阳能电池。