高效率电池技术

三层型薄膜硅太阳能电池的制造，高效率等离子CVD装置的开发是关键。夏普在宣布建设新工厂时表示：“可高效量产三层型的制造装置已经实现”（参阅本站报道）。另外，此次夏普与东电电子合作的目的是，通过在夏普
（Turnkey Solution）战略的一环”（太阳能电池技术人员），今后成功与否将备受关注。 东电电子此前一直向所有太阳能电池学会派遣了信息收集人员，一边从事太阳能电池的基础研究，一边寻找

5-20 mm，可以在成本较低的硅衬底上淀积硅有源层，这样制得的电池被称为薄膜晶体硅太阳能电池。为使其具有工业可行性，主要的挑战是在适于大规模生产的工艺中，怎样找到提高效率和降低成本之间的理想平衡。已经
更容易在 现有工艺线上实现。 　　第二种是基于层转移（layer transfer）的薄膜太阳能电池技术，它在多孔硅薄膜上外延淀积单晶硅层，从而可以在工艺中的某一点将单晶硅层从衬底上分离

基础。　　强生光电投资的非晶硅薄膜光伏电池新技术，与目前国内众多的晶体硅电池技术不同。在原料消耗上，非晶硅薄膜电池所用沉积原料只是多晶硅电池的1%，不存在原料供应的瓶颈；在生产制造环节，每生产1瓦电池
激励政策，特别是确定合理的上网电价体系，那么，我国离太阳能光伏制造和应用大国的距离就会越来越近，大容量、高效率的太阳能发电技术商业化的步伐将不断加快。 注：该文章不代表本网站观点

总量巨大，是使用不会枯竭的能源；没有影响环境的排泄物，是最清洁的能源；不集中在某个地方，是在整个地球上都可以利用的能源。但是，不集中也是它的缺点。有时可采取聚焦等方法，来提高效率。另外，还受天气影响
生产成本。 1.2 太阳电池 太阳电池技术是太阳能发电技术的主要组成部份。太阳电池的光电转换效率是代表材料性能、器件结构、制备技术、工艺设备和检测手段等综合性能水平的标志性指标。太阳电池

一个由美国大学和业界组成的联盟最近宣布，已研发了全球能源转换效率最高、达42.8%的太阳能电池，而一般传统太阳能电池的能源转换效率仅15%。上述联盟成员包括发明该太阳电池技术的
、总研究经费1亿美元的研发计划，是由美国国防部高等研究计划局(Darpa)所赞助的「超高效率太阳能电池(Very High Efficiency Solar Cell，VHESC)专案」。该联盟为期

技术推动的目的，提出Sunshine计划之技术发展规划，1997年前以结晶硅太阳电池为主，2000年后至今，着重于薄膜、高效率太阳电池，近年来太阳电池部分，则朝向先进太阳电池技术之开发，而系统部分
太阳电池与系统，降低生产与装置成本，并设定价格与成本目标，促进领导企业于新型太阳电池技术发展，导引企业快速市场化。其中，阳光计划主要针对多晶硅与薄膜太阳电池，降低成本、提升效率与提升量产技术；2001年

产业规模，提高技术经济效益。 2．目标 提高效率，降低成本，扩大规模，推动我国光伏产业发展发展高效率、低成本多晶硅太阳电池技术，攻关与引进相结合，建立一条年生产能力为兆瓦级的生产线。提高

%，实验室最高效率为12%，多结电池为8～10%，实验室最高效率为11.83 %.。由于 生产规模的扩大，生产工艺的改进，晶体硅太阳电池组件的制造成本已降至3～3.5美元/W p，售价也相应降到4~5
)42.047.054.058.261.070.781.090.612 表3商品化光伏直流组件效率预测(%) 电池技术199019952000 2010 单晶硅12151822 浇铸多晶硅11141620 带状硅12141721

以上。组件生产以完美结技术和叠层电池技术为基础，产品组件效率达到6％-8％；中试组件（面积900cm2左右）效率达9％-11％；小面积电池最高效率达14.6％。3．2完奏结技求 完美结技术是下列
，这就构成了非晶硅太阳电池下一阶段发展的主要任务。3．非晶硅太阳电池技术的发展3．1非晶硅太阳电池技术完善与提高 由于发展势头遭到挫折，80年代未m年代初，非晶硅太阳电他的发展经历了一个调整、完善

（1972）是为通信卫星开发的。因其浅结（0．1一0．2μm）密栅（30／cm）、减 反射（Ta2O5—短波透过好）而获得高效率。在一段时间里，浅结被认为是高效的关键技术之一而被采用。 （3
％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。 （B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术