非硅成本

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通威回应”逆势扩产”,如何保持相对较好的利润?来源:PV-Tech 发布时间:2018-11-29 13:40:35

低谷,以多晶硅原材料为首的制造环节出现了较大幅度降价,硅片、电池片、组件等产业链环节也受到影响,在这样的局势下,保持较好的盈利成为各家公司的难题。 通威电池片的成本历来保持着远低于行业平均水平的

通威合肥2.3GWPERC电池项目第一片电池片顺利下线来源:通威太阳能 发布时间:2018-11-29 09:34:54

全球光伏行业智能制造开创了新征程,并积极打造合肥市智能制造样板工程。同时新建的2.3GW高效太阳能电池将全面采用背钝化技术,成本预计在目前基础上下降10%以上,实际产量可达设计产能的120%。 合肥

这家公司要让员工二十年不失业!董事长谈中美贸易摩擦对行业影响:生命总要找出路来源:证券时报 发布时间:2018-11-29 08:58:26

成本可能有30%、40%下降空间,成本还有20%到30%空间,晶片加工的成本估计也有20%空间,综合算起来硅片的全成本有接近30%的下降空间,我个人认为工业4.0的管理就是优化良品率。成本降低可以

地处西北,它凭啥成为全球单晶硅制备企业“老大”?来源:科技日报 发布时间:2018-11-28 17:18:29

电池应用成本、甚至太阳能并网发电成本的第一个决定性因素。相比传统的砂浆切割技术,金刚线切割速度可提升5倍;材料损耗少、出片率高;产品质量提升;运营成本下降,能使单晶硅生产成本下降20%30%,成本

隆基股份董事长钟宝申:不会调整"2020年底45GW"扩产计划来源:中国网财经 发布时间:2018-11-27 13:41:40

,完整地去实现。 在隆基股份的三年规划中,新投产项目的技术品质和成本目标要能够支撑国家光伏平价上网的要求。新上项目标准硅片成本目标为不高于1元/片,硅片品质能够支撑主流PERC电池量产转换效率

2019下半年旺季再临!光伏行业五大趋势盘点来源:PVInfoLink 发布时间:2018-11-26 15:38:40

,除了一线大厂与垂直整合厂的自有产能外,几无小厂的生存空间。多晶硅片因为厂商间成本差距不大,淘汰速度不若单晶。预期待明年旺季再临之时,硅片小厂仍能重回市场。 电池片环节则一直是长江后浪推前浪,不仅

东方日升押注PERC 计划明年400 W双面PERC组件量产来源:pv-magazine 发布时间:2018-11-23 11:53:55

总部位于中国宁波的高效电池何组件制造商东方日升在陕西西安举行的中国太阳级硅及光伏发电研讨会(CSPV)会议上宣布了其产能最新进展,东方日升表示,其2GW生产线前后钝化电池的平均效率超过22.19
%,效率峰值达到22.51%,公司表示计划进一步加强与其金属化工艺相关的研发改进,以及其电池中的新结构,进一步降低成本。 长期以来,PERC一直倾向于太阳能电池技术将成为主导,但其高昂的生产成本使得它

2018中国光伏行业年度大会暨智慧能源 创新论坛在安徽合肥召开来源:中国光伏行业协会CPIA 发布时间:2018-11-23 11:31:53

11月22日,2018中国光伏行业年度大会暨智慧能源创新论坛在合肥皇冠假日酒店隆重召开。部分会员单位及非会员企业、相关行业组织、研究机构、投融资机构代表及媒体记者共500余人参加了本次会议。商务部
、国内市场的发展情况、进出口情况,并对未来发展趋势做了展望。1-10月多晶硅产量20.5万吨、硅片产量77.8GW,电池片产量39GW,组件产量75GW。1-9月国内新增光伏装机34.5GW,同比

第14届CSPV优秀论文名单公布!隆基、天合、CSA、中检南方、上海交大、中来、福斯特、晶银等上榜!来源:光伏测试网 发布时间:2018-11-22 14:45:28

形状不仅影响晶体中杂质径向分布均匀性,而且影响点缺陷、热应力和位错缺陷的形成和分布。而结品面形状直接受到坩场内熔体流动的影响,特别是界面附近处熔体的流动。随着产业界对降低单晶硅生产成本的迫切需求,采用
等高功函空穴传输层,及TiOx、LiF、MgOx、低功函金属等电子传输层,与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构,具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势,受到广泛的重视。本报告将详细

异质结产业化势头明显,如何选择量产金属化技术?来源:亚化咨询 发布时间:2018-11-21 10:03:25

烧结等过程。其中,金属化工艺是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一,不但要保证与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻,同时要为电流输出提供高导通路,是决定电池转化效率和成本高低的主要影响因素之一。 与
异质结产线已处于量产阶段,异质结的火热程度可见一斑。 现阶段,异质结电池的研发最高效率已达25.6%,量产最高效率已突破24%。异质结电池的生产工艺主要包括非晶硅层沉积、导电膜沉积、表面金属化、低温