非晶硅薄膜电池
自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%等。《专项规划》还对大规模并网电站、分布式发电、直流并网、太阳能热利用等方面提出了具体要求。为实现以上目标，《专项规划》明确了十二五期间光伏技术发展的
电池关键配套材料产业和成套生产线大量依赖进口，高效晶硅电池、碲化镉薄膜和铜铟镓硒薄膜电池商业化生产线、商业化太阳能热发电站和太阳能系统测试基地仍处于空白。《专项规划》明确了十二五期间光伏技术的发展目标
最高技术水平，能够大规模量产具有完全自主知识产权的太阳能电池。以薄膜太阳能技术演进为例，目前汉能控股集团自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，具有自主知识产权，产品获得欧洲严格的认证，已经
光电建筑一体化、提升建筑美感方面具有一定的先天优势。另外，薄膜电池在早晚、阴天等弱光条件下，仍可产生电能，因此，在同样地理和气象条件下，全年发电量比晶体硅电池高出 10%-15％。从产业发展模式上
一体化、提升建筑美感方面也具有先天优势。另外，薄膜电池在早晚、阴天等弱光条件下，仍可产生电能，因此，在同样地理和气象条件下，全年发电量比晶体硅电池高出10%到15%。薄膜太阳能电池行业，未来将为我国
建筑物屋顶及外立面相结合，每个建筑就是一座小型发电站，实现自发自用，多余上网，不用占地，不需要远距离传输。从技术来看，目前国内企业自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，达到了世界先进水平
材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池
"规划的总体目标。
《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用
50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利
。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本1.2万-1.3
，提高质量，实现关键配套材料的国产化，进一步降低太阳电池生产成本。2、太阳电池晶体硅高效电池方面，国际发达国家商业化效率已达20%以上，我国仍处于空白状态；薄膜电池方面，非晶硅/微晶硅叠层电池和国际上有差距
能力；（3）单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%；（4）突破100MW级并网光伏电站、100MW级城镇多点接入生态居住小区光伏系统技术、10MW
薄膜太阳能电池产业。孙满龙介绍，非晶硅薄膜太阳能电池制造时能耗是晶硅产品的1/5、原料是1/100，发电效率性能稳定性也更好。现在，宏威生产的太阳能硅薄膜电池初始光转化率可以达到9.53%，光衰稳定后仍然可以
投资建设的非晶硅薄膜太阳能光伏产业基地首期工程正要投产，订单合同早就签好。这个投资131亿元的项目将分5期建13条生产线，建成年产能可达1560兆瓦，预计实现年度营业收入150多亿元，利税50多亿元，将成
，激光刻划由碲化镉或非晶硅薄膜制成的导电和光敏涂层。通过这种工艺，涂在玻璃基板上的涂层被分割成互相串联的电池。这样，电池的宽度决定了电池和模块的电压。准确的，有选择地和非接触的激光加工工艺可以可靠地
重叠率进行加工的。但在某些情况下，需要寻找新的激光参数来加工新的混合物。皮秒激光器的挑战：CI(G)S、电池众所周知，由Cu(In,Ga)(S,Se)2组成的薄膜电池也被称为CI(G)S对激光加工提出
有限的2-3年。而随着技术的进步，目前主流的非晶硅薄膜电池使用寿命已在10年以上。这使得非晶硅薄膜电池成为目前最被看好的薄膜电池技术之一。目前国内市场当中，涉及非晶硅薄膜电池的上市公司主要包括：拓日新能、天威保变、综艺股份、赣能股份。
索比光伏网讯:日前，享誉亚太商界的台湾大亿集团董事长吴俊亿，率集团高层一行来我县考察投资环境，洽谈与合作公司共同投资建设非晶硅薄膜太阳能电池生产线项目的有关事宜。县长董庆华会见了吴俊亿一行，副县长邵
太阳能科技有限公司就决定引进台湾大亿集团制造非晶硅薄膜太阳能电池的先进技术和设备，双方经过多次往来谈判，于去年底签订了生产销售、技术设备合作协议，并签署了完整的合资协议，决定成立中外合资公司，共同投资
