非晶硅太阳能电池

。而正是这种显而易见的矛盾对立面，光伏发电从一开始就走在提性能、降成本的直行道上。 虽然全球第一块实用太阳能电池1954年已经问世，但太阳能发电真正的产业化进程则是21世纪事情。来自OFweek
过往并不显眼的薄膜太阳能电池厂商逐步走上前台。从2008年开始全球薄膜太阳能电池产量呈几何倍增的态势，足以说明这一时期光伏产业在技术路线选择上的巨变。 也正是在这一大背景下，CIGS薄膜太阳能电池

晶体硅太阳能电池的表面积与体积的比率大，表面复合严重。此外，与半导体级硅片相比，太阳能级单晶硅和多晶硅体内存在大量的杂质和缺陷，而这些杂质和缺陷会充当复合中心，增加复合速率。表面复合和杂质缺陷复合
会显着降低少子寿命和太阳电池性能。因此减少表面复合和杂质复合是进一步提高晶体硅电池效率的关键问题。 目前，商品化的晶体硅太阳能电池普遍采用铝背场（ALBSF）来钝化电池背表面，降低少数载流子在电池

夏普公司(Sharp Corporation)进入批量生产的新一代太阳能电池技术，预计将基于其晶硅和非晶硅薄膜电池的长期发展，号称效率超过25%。 夏普于2014年四月下旬在日本宣布，氢化
非晶硅(a-Si:H)、N型单晶硅(c-Si)异质结背接触(HBC)技术，转换效率为25.1%，比较接近松下公司(Panasonic Corp)该月早些时候宣布的其最新HIT电池开发25.6%的效率，也

其它光伏技术的优异性，其将成为下一代高效太阳能电池技术的主流发展趋势。精曜科技所推出的新一代大面积PECVD系统主要用于沉积非晶硅膜层，其良好的硬件性能保证了制备产品高于730 mV 的潜在开路电压，并且均匀性保持在1%以内。这些结果表明精曜科技的PECVD设备完全满足量产高效电池的需求。

太阳能电池技术的主流发展趋势。精曜科技所推出的新一代大面积PECVD系统主要用于沉积非晶硅膜层，其良好的硬件性能保证了制备产品高于730 mV 的潜在开路电压，并且均匀性保持在1%以内。这些结果表明精曜科技的PECVD设备完全满足量产高效电池的需求。

了HJT太阳能电池技术相较于其它光伏技术的优异性，其将成为下一代高效太阳能电池技术的主流发展趋势。精曜科技所推出的新一代大面积PECVD系统主要用于沉积非晶硅膜层，其良好的硬件性能保证了制备产品高于

影响很大，对于非晶硅的影响会小得多。一块晶体硅太阳能电池组件被遮挡了1/10的面积，功率损失将达到50%；而非晶硅受到同样的遮挡，功率损失仅有10%。如果太阳能电池不可避免地会被遮挡，应当尽量选用非晶硅

紧密结合 遮挡对于晶体硅太阳能电池的发电量影响很大，对于非晶硅的影响会小得多。一块晶体硅太阳能电池组件被遮挡了1/10的面积，功率损失将达到50%；而非晶硅受到同样的遮挡，功率损失仅有10

机器就可以。 下面以一个5KW的家用系统为例： 1.太阳能电池板（组件）的选择 目前市面上的太阳能电池分为非晶硅和晶体硅。其中晶体硅又可以分为多晶硅和单晶硅。从三种材料的光电转换效率来看