集成电路产业
性能和稳定性
今后几年，硅单晶生长设备仍有较大的市场，预计2007年，6英寸-8英寸太阳能硅单晶生长设备的销售量将超过800台；2008年有700台左右的销量。鉴于集成电路产业的不断发展，8英寸和
技术规范，在标准化、系列化、通用化方面不断改进。
第五，研究开发具有自主知识产权的太阳能多晶硅浇铸系统，满足飞速发展的太阳能光伏产业的需求。
总之，我国硅单晶生长设备生产厂家为我国的集成电路
垄断，在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。近日，西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR－150型单晶炉”项目通过验收，填补了国内12英寸无位错硅单晶生长设备的空白，为
，运行平稳，填补了国内12英寸无位错硅单晶生长设备的空白，对我国集成电路产业向低成本的大直径、超大规模发展起到积极促进作用，同时可以满足光伏产业提供太阳能级硅单晶生长需要，市场潜力巨大。
锐意创新百
核心技术不足的问题，高端产品均为国外公司所垄断，在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担TDR?50型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）课题
近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸
是制备电池的工艺和方法，但无论是哪一方面的研究都应满足制备多晶硅薄膜电池的一些基本要求：
（１）低成本 （材料和工艺）
（２）高效率
（３）易于产业化
对于衬底的选择必须满足以下一些条件
接触
（９）制备电极
（１０）钝化：晶粒间界的钝化和表面钝化
目前，几乎所有制备体单晶硅高效电池的实验室技术均已用在制备多晶硅薄膜太阳电池的工艺上，甚至还包括一些制备集成电路的方法和工艺
％。目前日本正计划实现这种电池的产业化。 （4）我国多晶硅电他 北京有色金属研究总院在多晶硅电池方面作了大量研究工作，目前10cmX10cm电池效率达到11．8％。北京市太阳能研究所
：13％左右；c1S电他的实验室效率不断攀升：最近达到18．％，但由于中试产品的重复性和一致性没有根本解决，产业化进程一再推后，至今仍停留在实验室和中试阶段；与此同时，晶体硅电池效率不断提高，技术
核心技术不足的问题，高端产品均为国外公司所垄断，在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统
取得填补了国内空白，标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产迈上了一个新台阶，对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
编辑：曹宇
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据商务部网站报道，浙江省衢州市开化县万向硅峰电子股份有限公司正着手建设直径150mm～300mm集成电路级硅单晶片项目，投产后年产能力为5000万平方英寸，是国内最先进、规模最大的大直径硅单晶
片生产线。项目建成后，将极大地提高开化硅电子产业在国内微电子行业中的地位，可新增年销售收入2.8亿元，年创汇2000万美元。
大股东万向集团下属的万向硅峰电子是信息产业部所属唯一的半导体硅材料专业
多晶硅材料作为制造集成电路硅衬底、太阳能电池等产品的主要原料，是发展信息产业和新能源产业的重要基石。我国多晶硅的自主供货存在严重的缺口，已经危及到我国多晶硅下游产业的正常运营，并成为制约我国信息产业
包括光伏电子、集成电路、信息安全产品等电子信息制造业及软件。根据意见的内容，光电信息技术产业的投资者可以获得投资咨询、工商注册、税务登记和项目立项等“一条龙”服务。投资达到一定规模的，我市将对其实行投资
从现在起，凡在我市创办光电信息技术企业的投资者，可以享受多项优惠政策。我市近日出台的《泉州市政府扶持和促进光电信息技术产业发展的意见》明确了这些优惠政策的内容。 光电信息技术产业
产量1818MW，需多晶体硅约2.18万吨。中国生产晶体硅太阳电池133兆瓦，需硅材料1596吨，集成电路产业总共需要2688吨，但只生产了80吨（5%），缺额的2608吨（95%）依靠进口。多晶体
二、光伏产业：上游由国外厂商垄断，国内企业处于中下游位置当前光伏企业竞争日益加剧，进入规模、成本、质量、技术竞争时期。近几年来，国内光伏企业产能急剧扩张，而且还在继续扩张，导致企业竞争加剧。原材料的
