铸造单晶

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精功科技:新产品试制成功助推光伏行业发展来源: 发布时间:2012-05-31 11:17:13

。公司方表示,JJL500型准单晶铸锭炉是精功科技在现有JJL500型多晶硅铸锭炉的基础上,采用铸造单晶专有技术,通过热场改进和工艺升级,实现自动控制籽晶溶化,进而研制开发出的产品。公告中显示,籽晶可多

天威推出神鸟2—MWT背接触式高效组件来源: 发布时间:2012-05-24 14:03:59

相比有两大区别:其一是类单晶铸锭,有些厂家只能在硅锭中间部分区域实现类单晶,而天威新能源实现了几乎整锭的类单晶铸造单晶的比例甚至达到了90%以上。因此,其他企业可能只产出50%的I级类单晶硅片,天威

天威:Benu金乌多晶电池组件转换效率高达16.5%来源:天威新能源 发布时间:2012-05-23 23:59:59

实现了几乎整锭的类单晶铸造单晶的比例甚至达到了90%以上。因此,其他企业可能只产出50%的I级类单晶硅片,天威可能产出90%以上的I级类单晶硅片,这就大大降低了I级高质量类单晶硅片的成本。其二,我们

SNEC直播:尚德张光春博士晶硅光伏电池产业化技术现状与发展方向来源: 发布时间:2012-05-17 23:59:59

,就是太阳能电池P型掺硼,如果含氧度太高这是非常严重,如何来关注这个东西呢?有这么几个方向,一个原来用钾来代替硼,再一个用铸造方法来形成所谓的准单晶,这里面含氧量可以降低初始的光照时间。再一个可以转变
,丝网印刷技术大家非常喜欢这项技术,这个电池的效率也是持续不断的上升,2000年初的时候这个电池的效率基本在11%,12%,现在多晶电池都可以做到16%以上,单晶电池18%以上,效率在不断的提高,它的

江苏高邮开发区把光伏产业作为发展重点来源: 发布时间:2012-05-17 09:16:59

10亿元以上的企业入园,尽快形成产业特色和企业集聚。三条链建设,一是指机械制造产业链,集冶炼、铸造、加工、装配为一体,大力发展水力机械、矿山机械、石油机械产业,力争到十二五期末形成500亿元的规模
;二是指拉长增粗以康博高纯硅为重点的光伏产业链,加快形成从多晶硅、单晶硅、非晶硅,破方、切片,到太阳能电池封装、组件以及发电集成系统的完整产业体系,力争到十二五期末形成200亿元的规模;三是指做大做强以

多晶硅的制备方法来源: 发布时间:2012-05-08 11:46:34

、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场,成为最有竞争力的太阳能电池次材料。21世纪初已占50%以上,成为最主要的太阳能电池材料。太阳能电池多晶硅锭是一种柱状晶,晶体生长方向垂直向上。图1多晶硅锭铸造设备1.装料
索比光伏网讯:直到20世纪90年代,太阳能光光伏" title="光伏新闻专题"光伏工艺还是主要建立在单晶硅的基础上。虽然单晶硅太阳能电池的成本在不断下降,但是与常规电力相比还是缺乏竞争力,因此

天龙光电:股价大幅下挫 董事长“安抚式增持”来源: 发布时间:2012-05-05 09:20:59

残酷。就在今年2月22日,精功科技又对外宣布,公司JJL500型准单晶铸锭炉已完成各项试制工作。据介绍,该设备是精功科技在现有JJL500型多晶硅铸锭炉的基础上,采用铸造单晶专有技术,通过热场改进和工艺

江苏华盛天龙光电设备股份有限公司2012第一季度报告来源: 发布时间:2012-04-25 23:59:59

,以应对行业调整做准备。此外,公司还在努力研发新产品以应对困境,公司不仅研发出了单台产出量更高的新一代单晶炉、多晶炉,控股子公司江苏中晟半导体设备有限公司MOCVD项目样机指标符合预期,计划年内实现销售
)/(1)项目达到预定可使用状态日期本季度实现的效益是否达到预计效益项目可行性是否发生重大变化承诺投资项目1、年产1200台单晶硅生长炉项目否

太阳能光伏电池暗电流的研究来源: 发布时间:2012-04-25 10:39:10

极其复杂,我们经过长期大量的实验,分析了暗电流高与5A电池产生的具体原因,并在生产中提出了相应的解决办法。2.1硅片内在质量原因铸造多晶硅相对直拉单晶硅的制备工艺简单,成本较低,但控制杂质和缺陷的能力
也较弱。铸造多晶硅中的氧、碳、氮、氢及金属杂质和高密度的晶界、位错以及微缺陷都有可能造成电池反向电流的增加。所以,在铸锭过程中应严格控制硅料的杂质含量,优化铸锭工艺,严格控制硅锭的杂质含量和电阻率等

台湾十大太阳能光伏上市企业介绍【图】来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-04-12 09:11:59

准公开发行,2007年6月签约购买设备进入薄膜太阳能领域。目前为太阳能芯片之领导厂商。芯片事业处:绿能科技使用各种硅材料,采用方向性固化(Directional Solidification)铸造技术
生产多晶硅晶锭,目前公司主要生产尺寸125*125mm、156*156mm,厚度325~200m多晶硅晶圆,另有其它特殊规格需求及单晶硅晶圆制造。2005年5月以25MW初始产能开始生产,2009年底