铜铟镓硒薄膜电池

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薄膜——太阳能领域的下一个商业突破来源: 发布时间:2013-10-22 09:18:43

太阳能电池的区别就像立方体盒电视与液晶电视之间的差异一样大。尽管晶硅在今天仍然占据了全球太阳能电池的绝大数份额,但是薄膜化和柔性化是太阳能电池,也是光伏产业的未来和总趋势。与晶硅电池相比,薄膜电池具有
五大优势。第一,原材料低廉。第二,对购买者来说,能源回收期短。第三,在不同的辐射条件下,薄膜电池比晶硅效率更高。第四,由于柔性度性较好,可用于地面、建筑物表面、屋顶或任何其他表面。第五,可应用于各种设备

汉能青海CIGS生产基地一期工程预计年底完工来源:PV-Tech 发布时间:2013-10-22 09:17:35

月份一期工程全部完工, 并进行设备安装调试。 青海汉能太阳能薄膜电池生产基地2012年8月29日开工,项目总投资 26.8 亿元,预计建成后年产300MW铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池。汉能此前收购

汉能太阳能青海CIGS生产基地一期工程预计年底完工来源:海东时报 发布时间:2013-10-21 23:59:59

月份一期工程全部完工, 并进行设备安装调试。青海汉能太阳能薄膜电池生产基地2012年8月29日开工,项目总投资 26.8 亿元,预计建成后年产300MW铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池。汉能此前收购了德国

第四富豪李河君665亿资产存疑:绑架政府运作光伏来源: 发布时间:2013-10-18 08:39:59

拥有两架湾流G550私人飞机、操着广东普通话的李河君,评价并不高。2009年金融危机后才切入到薄膜光伏领域的汉能,主攻非晶、铜铟镓硒(CIGS)两类薄膜电池,生产基地分别位于双流、武进、禹城、邳州
达到10G瓦,短期目标2012年为3G瓦,灭了英利(国内最大的光伏企业之一)、成为中国最大薄膜制造商都出自他之口。殊不知,薄膜电池在近几年中的竞争力,已随着晶体硅电池的成本下降、电价补贴等原因,而在业界几乎

保护和支持薄膜光伏产业有助于提高国际竞争力来源:中国能源报 发布时间:2013-09-28 21:08:36

扶持薄膜太阳电池技术,并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%,碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%,都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4
:   一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程,促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW,而薄膜组件实际出货量只有400MW,仅占总出货量的2%。也就是说,薄膜电池

龙焱能源:请保护和支持中国薄膜光伏产业来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2013-09-25 13:22:22

太阳电池技术,并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%,碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%,都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种
、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程,促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW,而薄膜组件实际出货量只有400MW,仅占总出货量的2%。也就是说,薄膜电池

请保护和支持中国薄膜光伏产业来源: 发布时间:2013-09-25 11:39:25

持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%,碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%,都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池全面
:一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程,促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW,而薄膜组件实际出货量只有400MW,仅占总出货量的2%。也就是说,薄膜电池

吴选之:保护和支持中国薄膜光伏产业来源:中国能源报 发布时间:2013-09-24 23:59:59

技术,并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%,碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%,都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池

工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于
能不低于 5000 万片; 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 (四)现有光伏制造企业及

20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

能不低于 5000 万片; 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求
单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉