铜铟镓硒组件

硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶
； 2.硅锭年产能不低于 1000 吨； 3.硅棒年产能不低于 1000 吨； 4.硅片年产能不低于 5000 万片； 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp； 6.晶硅电池组件年产

多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其

;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe

索比光伏网讯:汉能控股(HanergyHolding)正在将Solibro的铜铟镓硒(CIGS)薄膜技术的知识产权(IP)转移到子公司Apollo昆明公司。一家瑞典CIGS太阳能技术研发公司
于更先进的薄膜技术，包括纳米晶体硅和CIGS。中国国务院的行业规定是主要动力，其正在推动光伏制造商满足新建光伏组件制造设备的最低转换效率值，多晶硅为18%，单晶硅为20%，薄膜技术为12%。Solibro知识产权交易价值达2.8亿元人民币(4570万美元)

；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe

的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别

，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
处于行业中高水平，新增了薄膜电池组件相关内容；企业研发投入设立最低限。 白洪强表示，《条件》表明国家不再一味地对光伏产业给予财政等政策支持，而是通过制定技术标准，提高行业准入门槛，通过优化产业结构

已整合了全球最先进的薄膜技术。据悉，目前，汉能掌握非晶硅-锗、非晶硅-纳米硅、铜铟镓硒等7条全球领先的薄膜技术路线，薄膜太阳能组件量产转化率已达到15.5%，研发转化率最高已达18.1%。 任浩
如此，据记者了解，目前晶硅业界，能够实现20%以上光电转换率的企业屈指可数。而2012年9月，汉能集团曾公开宣布，在其成功收购德国Q-CELLS子公司、铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池制造商Solibro

多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10

%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8