铜栅线铜

丝网印刷电池片金属栅线的四分之一。此外，与原先的工艺相比，这些超细的金属线的材质也不再是银，取而代之的是铜。这些技术工艺上的改进，大大减少了电池片表面的金属覆盖率，可以使电池片吸收更多的太阳光，从而产生

硅异质结太阳能电池的顶部电网电极的首选。降低银浆丝网印刷电阻和细化金属线仍存在困难，从而也难以实现太阳能电池高效率、低成本的目标。在Kaneka展示的非银浆太阳能电池技术中，电镀铜取代银浆，由此
，世界第一例铜电镀硅异质结太阳能电池顶部栅电极形成了。铜电镀是一种经济并通过工业验证的处理方法。此方案不仅克服了银浆丝网印刷的缺点，还具有提高转换效率，降低加工成本的优点。此项成果显示，在Kaneka与

之后，需在电池顶部沉积铟锡氧化物(ITO)，即透明导电氧化层作为入射光的减反射层。然后需要在光入射一面布置栅线，并根据最后电池的尺寸和形状，进行切割、电极接合、电池切割和电池互联，从而构成具有一定参数
的进步。薄膜太阳电池主要涉及非晶硅(a-Si：H)、铜铟镓硒(Cu(In、Ga)Se2，CIGS)和碲化镉(CdTe)光伏电池和集成组件，在本文中主要讨论的是目前商业化最成熟的非晶硅太阳电池。薄膜

；②电池片外观及栅线检测；③喷涂助焊剂；④第一次预升温；⑤第二次预升温；⑥第三次预升温及焊带铺设；⑦高频电磁感应焊接；⑧缓降温；⑨电池串翻面收集机构 具体说明： 一、取料：为保证轻柔可靠地将电池
盒内的电池片取出，采用压缩空气分层，配合柔软的硅橡胶吸盘，在精准的机械手动作下，可靠而无损伤地将电池片送入工作区； 二、检测：在检测环节中，可将上道工序未检出外观缺陷及主栅线印刷异常的电池片移出

产品简介：Meco 工程设备公司(Meco Equipment Engineers)已研发出可为晶硅太阳能电池进行金属镀膜的电池栅线电镀设备(Cell Plating Line，简称CPL
。 解决方案：Meco公司CPL工艺使用超薄银浆精细种子层，可以通过电镀银或者镍-铜-锡来进一步增强接触指的导电能力。这既能形成精细的接触指，又能有效减少电阻。该工艺不仅能将电池效率提高

。IXYS是一家专业功率半导体的供应商，我们宽广的功率产品线可以覆盖所有功率等级风力发电系统的需要。IGBT(绝缘栅双极晶体管)是现在最常用的一种开关器件，它用于将风力产生的电能转变为适合电网需要的
MOSFET供应商。与此同时，我们还在模块中的IGBT和二极管中集成了碳化硅技术，以提高太阳能逆变器的效率，并减少用户的安装成本和时间。我们独特的DCB(直接铜邦定陶瓷衬底)技术使我们可以快速地为任何客户定制

，可以说太阳的能量是用之不竭的。? 缺点：? (1)分散性：到达地球表面的太阳辐射的总量尽管很大，但是能流密度很低。平均说来，北回归线附近，夏季在天气较为晴朗的情况下，正午
的难度，使成本升高。　　80年代中期，为解决这些问题，高效电池的制作引入了电子器件制作的一些工艺手段，采用了倒金子塔绒面、激光刻槽埋栅、选择性发射结等制作工艺，这些工艺的采用不但使电池的效率进一步提高

的M1S电池正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体
里，硅太阳电池在空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造

单晶硅电池和低成本多晶硅电池。限制单晶硅太阳电池转换效率的主要技术障碍有：①电池表面栅线遮光影响；②表面光反射损失；③光传导损失； ④内部复合损失；⑤表面复合损失。针对这些问题，近年来开发了许多新技术，主要有
：① 单双层减反射膜；②激光刻槽埋藏栅线技术；③绒面技术；④背点接触电极克服表面栅线遮光问题；⑤高效背反射器技术；⑥光吸收技术。随着这些新技术的应用，发明了不少新的电池种类，极大地提高了太阳能电池的

作用。前电极采用光刻栅线的方法在ＳＩＯ２膜上开出电极栅线条，再用热蒸发法制备ＴＩ／ＰＤ／ＡＧ电极。在衬底的背面蒸镀ＡＬ或ＴＩ／ＰＤ／ＡＧ，得到背电极。用这种方法得到的硅薄膜电池的效率已达到12.11