钝化边缘

铝浆专供于背板钝化结晶硅太阳能电池。对于上述局部背面电场（Back Surface Field，以下简称BSF）电池，Solamet PV36x相对于传统铝化化合物，能将电池的转换效率提升高达0.8
PV36x让发电效率攀升至新的境界，确保产业能减低每瓦成本，获得更加的利润。专门为BSF电池设计的钝化层铝浆通常含有氧化硅（SiOx）与氮化硅（SiNx），而传统电池在使用这种浆料时会出现粘着性不佳的问题

入射更容易得到高质量的刻痕。图5是分别用1064nm激光和532nm的激光刻划CdS/CdTe薄膜后，用探针式表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不
载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层

://www.appliedmaterials.com/products/maxedge_3.html 应用材料公司已经通过生产验证的超薄晶体硅太阳能电池制造系列产品包括用于切片的MaxEdge系统，用于防反射和钝化层沉积的Applied ATON

); CUDZINOVIC MICHAEL J (US); PASS THOMAS (US); SMITH DAVID (US); SWANSON RICHARD M (US) 边缘钝化的硅太阳能

表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接
℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层，可以用化学腐蚀或离子刻蚀去除CdTe膜面的高阻